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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB09N03LAG
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 25V 50A D2PAK-2 | Other | IPB09N03LAG |
2
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB09N03LA
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 25V, 0.0151ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | IPB09N03LA |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB09N09LA
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 25V, 0.0151ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | IPB09N09LA |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB093N04LG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 40V, 0.0093ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | IPB093N04LG |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB091N06NG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | IPB091N06NG |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB090N06N3GATMA1
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3 | IPB090N06N3GATMA1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB090N06N3GXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3 | IPB090N06N3GXT |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB097N08N3G
Rochester Electronics LLC
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1 | 70A, 80V, 0.0097ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3 | IPB097N08N3G |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB093N04LGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 40V, 0.0093ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | IPB093N04LGATMA1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB096N03LGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0141ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | IPB096N03LGATMA1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB097N08N3GATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 80V, 0.0097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3 | IPB097N08N3GATMA1 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB096N03LG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0141ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | IPB096N03LG |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB09N03LAGATMA1
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 25V, 0.0151ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | IPB09N03LAGATMA1 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB090N06N3G
Infineon
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1 | Infineon IPB090N06N3G N-channel MOSFET Transistor, 50 A, 60 V, 3-Pin TO-263 | IPB090N06N3G |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB097N08N3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 80V, 0.0097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3 | IPB097N08N3G |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB097N08N3GXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 80V, 0.0097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3 | IPB097N08N3GXT |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB096N03L G
Infineon
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0 | IPB096N03L G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB090N06N3 G
Infineon
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0 | IPB090N06N3 G |
0
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Build or Request |