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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB45N06S4L-08
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | Other | IPB45N06S4L-08 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB45N06S3L-13
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 55V, 0.0131ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB45N06S3L-13 |
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IPB45N06S4L08ATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB45N06S4L08ATMA2 |
0
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IPB45N06S4L08ATMA3
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB45N06S4L08ATMA3 |
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IPB45N06S3-16
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 55V, 0.0154ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB45N06S3-16 |
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IPB45P03P4L11ATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 30V, 0.0187ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB45P03P4L11ATMA2 |
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IPB45N06S409XT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB45N06S409XT |
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IPB45N06S4-09
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IPB45N06S4-09 |
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IPB45N06-09
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB45N06-09 |
0
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IPB45N06S409ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB45N06S409ATMA1 |
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IPB45N06S4L08ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB45N06S4L08ATMA1 |
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IPB45P03P4L-11
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 30V, 0.0111ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB45P03P4L-11 |
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IPB45N06S409ATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB45N06S409ATMA2 |
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IPB45P03P4L11XT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 30V, 0.0111ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB45P03P4L11XT |
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IPB45P03P4L11ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 30V, 0.0111ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB45P03P4L11ATMA1 |
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IPB45N04S4L-08
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 40V, 0.0076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB45N04S4L-08 |
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IPB45N04S4L08ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 40V, 0.0076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB45N04S4L08ATMA1 |
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