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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD025N06NATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 | Other | IPD025N06NATMA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD020N03LF2SATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 30 V 30A (Ta), 143A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-34 | Other | IPD020N03LF2SATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD024N06NATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD024N06NATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD0212
IDEA Inc
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1 | PN Photodiode | IPD0212 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD0270
Instrument Design Engineering Associates
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1 | PN Photodiode | IPD0270 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD0270
IDEA Inc
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1 | PN Photodiode | IPD0270 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD029N04NF2S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 131A I(D), 40V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD029N04NF2S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD0212
Instrument Design Engineering Associates
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1 | PN Photodiode | IPD0212 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD023N04NF2S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 143A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD023N04NF2S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD028N06NF2S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 139A I(D), 60V, 0.00285ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD028N06NF2S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD024N06N
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD024N06N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD025N06N
Infineon
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1 | Infineon IPD025N06N N-channel MOSFET Transistor, 90 A, 60 V, 3-Pin TO-252 | IPD025N06N |
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