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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD050N10N5ATMA1
Infineon
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1 | OptiMOS™ 5 100V power MOSFET in DPAK package with 22% lower RDS(on) for telecom and server power supply applications | Other | IPD050N10N5ATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD053N08N3G
Infineon
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1 | Infineon IPD053N08N3G N-channel MOSFET Transistor, 90 A, 80 V, 3-Pin TO-252 | Other | IPD053N08N3G |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD053N06NATMA1
Infineon
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1 | INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Power MOSFET, N Channel, 60 V, 45 A, 0.0045 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount | Other | IPD053N06NATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD053N06N
Infineon
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1 | Infineon IPD053N06N N-channel MOSFET Transistor, 45 A, 60 V, 3-Pin TO-252 | Other | IPD053N06N |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD053N08N3GATMA1
Infineon
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1 | MOSFET TRENCH 40<-<100V | Other | IPD053N08N3GATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD055N08NF2SATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 80 V 17A (Ta), 98A (Tc) 3W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 | Other | IPD055N08NF2SATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD053N06N3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD053N06N3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD05N03LAGBUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 25V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD05N03LAGBUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD050N03LGBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD050N03LGBTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD053N06N3GBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD053N06N3GBTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD050N03LGXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD050N03LGXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD05N03LA
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 25V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD05N03LA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD05N03LBG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 30V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD05N03LBG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD050N03LG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD050N03LG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD053N08N3GBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 80V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD053N08N3GBTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD050N03LGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD050N03LGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD050N03LGHF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD050N03LGHF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD050N10N5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD050N10N5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD05N03LAG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 25V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD05N03LAG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD053N08N3GXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 80V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD053N08N3GXT |
0
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