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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD082N10N3G
Infineon
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1 | MOSFET N Channel 100V 80A 3.5V @ 75uA 8.6mΩ @ 73A,10V TO-252-2(DPAK) RoHS | Other | IPD082N10N3G |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD082N10N3GATMA1
Infineon
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1 | MOSFET TRENCH >=100V | Other | IPD082N10N3GATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD088N06N3G
Infineon
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1 | Infineon IPD088N06N3G N-channel MOSFET Transistor, 50 A, 60 V, 3-Pin TO-252 | Other | IPD088N06N3G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD088N06N3GBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD088N06N3GBTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD082N10N3GXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD082N10N3GXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD082N10N3GBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD082N10N3GBTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD088N04LG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 40V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD088N04LG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD088N04LGBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 40V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD088N04LGBTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD088N06N3GATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD088N06N3GATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD088N06N3GXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD088N06N3GXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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