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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD35N10S3L-26
Infineon
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1 | Infineon IPD35N10S3L-26 N-channel MOSFET Transistor, 35 A, 100 V, 3-Pin TO-252 | Other | IPD35N10S3L-26 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD35N10S3L26ATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T | Other | IPD35N10S3L26ATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD35N12S3L24ATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-CHANNEL 100+ | Other | IPD35N12S3L24ATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD350N06L G
Infineon
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1 | Infineon IPD350N06L G N-channel MOSFET Transistor, 29 A, 60 V, 3+Tab-Pin TO-252 | Other | IPD350N06L G |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD350N06LGBUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 60V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD350N06LGBUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD350N06LGBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 60V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD350N06LGBTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD35N12S3L24ATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 120V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD35N12S3L24ATMA2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD35N12S3L-24
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 120V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD35N12S3L-24 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD350N06LG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 60V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD350N06LG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD350N06LGXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 60V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD350N06LGXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD35N10S3L26ATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.0319ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD35N10S3L26ATMA2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD35N10S3L26XT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.0319ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD35N10S3L26XT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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