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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDQ60R010S7
Infineon
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1 | N-Channel 600V 50A (Tc) 694W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1 | Other | IPDQ60R010S7 |
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IPDQ60R022S7XTMA1
Infineon
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1 | N-Channel MOSFET RDS(on),max= 22mΩ, Qg,typ= 150nC, VSD= 0.82V, Pulsed ISD, IDS= 375A Package PG-HDSOP-22. | Other | IPDQ60R022S7XTMA1 |
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IPDQ60R075CFD7XTMA1
Infineon
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1 | Transistor MOSFET Ultrafast Body 600V 75mOhm 22-Pin QDPAK | Other | IPDQ60R075CFD7XTMA1 |
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IPDQ60R007CM8XTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 600 V 288A (Tc) 1.249kW (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22 | Other | IPDQ60R007CM8XTMA1 |
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IPDQ60R016CM8XTMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-Channel 505 A , -55 °C 150 °C , 171nC , 16 mΩ , 600V , HDSOP-22 | Other | IPDQ60R016CM8XTMA1 |
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IPDQ60T010S7XTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 600 V 174A (Tc) 694W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1, 10mOhm, 11986 pF, -55°C ~ 150°C | Other | IPDQ60T010S7XTMA1 |
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IPDQ60R025CFD7XTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 600 V 90A (Tc) 446W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1 -55°C ~ 150°C | Other | IPDQ60R025CFD7XTMA1 |
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IPDQ60T010S7AXTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 600 V 174A (Tc) 694W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1, 10mOhm, -40°C ~ 150°C | Other | IPDQ60T010S7AXTMA1 |
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IPDQ65R018CM8XTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 650 V 127A (Tc) 625W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22 , 1.48 mA , 625 W , -55 °C ~ +150 °C (TJ) | Other | IPDQ65R018CM8XTMA1 |
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IPDQ60R065S7XTMA1
Infineon
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1 | 600VCoolMOSªSJS7PowerDevice, RDS(on),max-65mΩ, Qg,typ-51nc, VSD-0.82V, Pulsed ISD, IDS-126A | Other | IPDQ60R065S7XTMA1 |
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IPDQ65R029CFD7XTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 650 V 85A (Tc) 463W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1 | Other | IPDQ65R029CFD7XTMA1 |
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IPDQ60R015CFD7XTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 600 V 149A (Tc) 657W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1 | Small Outline Packages | IPDQ60R015CFD7XTMA1 |
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IPDQ60R040S7XTMA1
Infineon
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1 | N-Channel MOSFET RDS(on),max= 40mΩ, Qg,typ= 83nC, VSD= 0.82V, Pulsed ISD, IDS= 207A, Package PG-HDSOP-22. | Other | IPDQ60R040S7XTMA1 |
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IPDQ60R010S7XTMA1
Infineon
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1 | MOSFET HIGH POWER_NEW | Small Outline Packages | IPDQ60R010S7XTMA1 |
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IPDQ60R037CM8XTMA1
Infineon
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1 | Power MOSFET, N Channel, 600 V, 65 A, 0.037 ohm, HDSOP, Surface Mount | Other | IPDQ60R037CM8XTMA1 |
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IPDQ65R040CFD7XTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 650 V 64A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1 | Other | IPDQ65R040CFD7XTMA1 |
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IPDQ60R017S7A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 600V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPDQ60R017S7A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDQ60R025CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 600V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal Semiconductor FET, TO-252 | IPDQ60R025CFD7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDQ65R040CFD7A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 650V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPDQ65R040CFD7A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDQ60R022S7A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 600V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPDQ60R022S7A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDQ60R016CM8
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 135A I(D), 600V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET | IPDQ60R016CM8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDQ65R099CFD7A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 650V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPDQ65R099CFD7A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDQ65R060CFD7A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 650V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPDQ65R060CFD7A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDQ65R017CFD7A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 136A I(D), 650V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPDQ65R017CFD7A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDQ60R010S7A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 600V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPDQ60R010S7A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||