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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPI65R190C6
Infineon
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1 | Infineon IPI65R190C6 N-channel MOSFET Transistor, 20.2 A, 700 V, 3-Pin TO-262 | Transistor Outline, Vertical | IPI65R190C6 |
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IPI65R280C6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.8A I(D), 650V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI65R280C6 |
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IPI65R150CFDXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22.4A I(D), 650V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI65R150CFDXKSA1 |
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IPI65R280E6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI65R280E6XKSA1 |
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IPI65R110CFDXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31.2A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI65R110CFDXKSA1 |
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IPI65R110CFD
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31.2A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI65R110CFD |
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IPI65R280E6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI65R280E6 |
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IPI65R600C6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 650V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI65R600C6 |
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IPI65R280C6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI65R280C6XKSA1 |
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IPI65R600C6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI65R600C6XKSA1 |
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IPI65R380C6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI65R380C6XKSA1 |
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IPI65R190E6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI65R190E6 |
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IPI65R150CFD
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22.4A I(D), 650V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI65R150CFD |
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IPI65R380E6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI65R380E6 |
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IPI65R190CFDXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3 | IPI65R190CFDXKSA1 |
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IPI65R660CFDXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 650V, 0.66ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI65R660CFDXKSA1 |
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IPI65R380C6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI65R380C6 |
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IPI65R190C6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI65R190C6XKSA1 |
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IPI65R310CFD
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 650V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI65R310CFD |
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IPI65R099C6
Rochester Electronics LLC
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1 | 650V, 0.099ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3 | IPI65R099C6 |
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IPI65R190CFD
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI65R190CFD |
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IPI65R099C6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI65R099C6 |
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IPI65R190CFDXKSA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI65R190CFDXKSA2 |
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IPI65R420CFDXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 650V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI65R420CFDXKSA1 |
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IPI65R420CFD
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 650V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI65R420CFD |
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