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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPI70N04S4-06
Infineon
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1 | Infineon IPI70N04S4-06 N-channel MOSFET Module, 70 A, 40 V, 3-Pin TO-262 | Transistor Outline, Vertical | IPI70N04S4-06 |
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IPI70P04P4L-08
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0082ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI70P04P4L-08 |
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IPI70N10S3L12AKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI70N10S3L12AKSA1 |
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IPI70N10S3-12
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0116ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI70N10S3-12 |
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IPI70N10SL16AKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI70N10SL16AKSA1 |
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IPI70N04S3-07
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 40V, 0.0071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI70N04S3-07 |
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IPI70N10SL-16
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI70N10SL-16 |
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IPI70P04P4-09
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 40V, 0.0094ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI70P04P4-09 |
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IPI70N12S311AKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 120V, 0.0116ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI70N12S311AKSA1 |
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IPI70N10S312AKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0116ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI70N10S312AKSA1 |
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IPI70N04S406AKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 40V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI70N04S406AKSA1 |
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IPI70R950CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 700V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI70R950CE |
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IPI70N12S3L12AKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 120V, 0.0158ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI70N12S3L12AKSA1 |
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IPI70N12S3L-12
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IPI70N12S3L-12 |
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IPI70P04P409XK
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 40V, 0.0094ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI70P04P409XK |
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IPI70N10S3L12XK
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI70N10S3L12XK |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPI70P04P409AKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 40V, 0.0094ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI70P04P409AKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPI70N04S307AKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 40V, 0.0071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI70N04S307AKSA1 |
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IPI70N10S3L-12
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0158ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI70N10S3L-12 |
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IPI70N04S4-06
Rochester Electronics LLC
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1 | 70A, 40V, 0.0065ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN | IPI70N04S4-06 |
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IPI70N10S312XK
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0116ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI70N10S312XK |
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IPI70N12S3-11
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 120V, 0.0116ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI70N12S3-11 |
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IPI70R950CEXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 700V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI70R950CEXKSA1 |
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