Showing 25 of 27 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPU80R2K4P7AKMA1
Infineon
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1 | INFINEON - IPU80R2K4P7AKMA1 - Power MOSFET, N Channel, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, TO-251, Through Hole | Transistor Outline, Vertical | IPU80R2K4P7AKMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPU80R1K4P7AKMA1
Infineon
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1 | IPU80R1K4P7AKMA1 N-Channel MOSFET, 4 A, 800 V CoolMOS P7, 3-Pin IPAK Infineon | Transistor Outline, Vertical | IPU80R1K4P7AKMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPU80R750P7AKMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPU80R750P7AKMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPU80R600P7AKMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 800V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPU80R600P7AKMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPU80R2K8CEBKMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IPU80R2K8CEBKMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPU80R1K0CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 800V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPU80R1K0CE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPU80R3K3P7AKMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 800V, 3.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPU80R3K3P7AKMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPU80R1K0CEBKMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 800V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPU80R1K0CEBKMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPU80R900P7AKMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 800V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPU80R900P7AKMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPU80R2K0P7AKMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 800V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPU80R2K0P7AKMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPU80R2K8CEAKMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 800V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPU80R2K8CEAKMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPU80R2K8CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 800V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPU80R2K8CE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPU80R2K4P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 800V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPU80R2K4P7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPU80R1K2P7AKMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPU80R1K2P7AKMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPU80R2K0P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPU80R2K0P7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPU80R1K0CEAKMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 800V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPU80R1K0CEAKMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPU80R4K5P7AKMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 800V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPU80R4K5P7AKMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPU80R600P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 800V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPU80R600P7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPU80R1K4CEBKMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPU80R1K4CEBKMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPU80R1K2P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPU80R1K2P7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPU80R1K4CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPU80R1K4CE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPU80R1K4P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-251 | IPU80R1K4P7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPU80R4K5P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 800V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPU80R4K5P7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPU80R1K4CEAKMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPU80R1K4CEAKMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPU80R3K3P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 800V, 3.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPU80R3K3P7 |
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