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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1018ESTRLPBF
Infineon
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1 | Infineon IRF1018ESTRLPBF N-channel MOSFET, 79 A, 60 V HEXFET, 3-Pin D2PAK | Other | IRF1018ESTRLPBF |
3
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IRF100P218AKMA1
Infineon
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1 | 100V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-247 package | Transistor Outline, Vertical | IRF100P218AKMA1 |
3
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IRF1010NPBF
Infineon
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1 | MOSFET MOSFT 55V 72A 11mOhm 80nC | Transistor Outline, Vertical | IRF1010NPBF |
3
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IRF100B202
Infineon
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1 | N-Channel MOSFET, 97 A, 100 V, 3 + Tab-Pin TO-220 Infineon IRF100B202 | Transistor Outline, Vertical | IRF100B202 |
3
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IRF1010EPBF
Infineon
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1 | IRF1010EPBF N-Channel MOSFET, 84 A, 60 V HEXFET, 3-Pin TO-220AB Infineon | Transistor Outline, Vertical | IRF1010EPBF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF100P219XKMA1
Infineon
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1 | MOSFET TRENCH >=100V IR MOSFET - StrongIRFET 1.4mohm-1.7mohm | Transistor Outline, Vertical | IRF100P219XKMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010NSPBF
Infineon
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1 | IRF1010NSPBF N-Channel MOSFET, 85 A, 55 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon | Other | IRF1010NSPBF |
3
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IRF100B201
Infineon
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1 | IRF100B201 N-Channel MOSFET, 192 A, 100 V HEXFET, 3+Tab-Pin TO-220 Infineon | Transistor Outline, Vertical | IRF100B201 |
3
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IRF1010EZSTRLP
Infineon
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1 | INFINEON - IRF1010EZSTRLP - MOSFET, N-CH, 60V, 84A, TO-263 | Other | IRF1010EZSTRLP |
3
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IRF1010EZPBF
Infineon
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1 | 60V SINGLE N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET, EA | Transistor Outline, Vertical | IRF1010EZPBF |
3
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IRF1010ESTRLPBF
Infineon
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1 | MOSFET MOSFT 60V 83A 12mOhm 86.6nC | Other | IRF1010ESTRLPBF |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF100P218XKMA1
Infineon
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1 | MOSFET TRENCH_MOSFETS | Transistor Outline, Vertical | IRF100P218XKMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1018EPBF
Infineon
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1 | MOSFET N-Channel 60V 79A HEXFET TO220AB Infineon IRF1018EPBF N-channel MOSFET Transistor, 79 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB | Transistor Outline, Vertical | IRF1018EPBF |
3
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IRF1018ESPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 79A I(D), 60V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF1018ESPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF100S201
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRF100S201 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010ZSTRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF1010ZSTRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010N-017PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010N-017PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010E-019
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010E-019 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010N-030
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010N-030 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010N-031
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010N-031 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010-018
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010-018 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF100NC1.00KOHMSK
Isotek Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 100W, 1000ohm, 10% +/-Tol | IRF100NC1.00KOHMSK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF100NC200.00OHMSJ
Isotek Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 100W, 200ohm, 5% +/-Tol | IRF100NC200.00OHMSJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010-017
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010-017 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010N-015PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010N-015PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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