Showing 25 of 541 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5305STRLPBF
Infineon
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1 | MOSFET MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC | Other | IRF5305STRLPBF |
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IRF5305S
Infineon
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1 | MOSFET Transistor, P-Channel, TO-263AB | Other | IRF5305S |
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IRF530N
Infineon
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1 | INFINEON - IRF530N - Power MOSFET, N Channel, 100 V, 15 A, 0.11 ohm, TO-220AB, Through Hole | Transistor Outline, Vertical | IRF530N |
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IRF530
STMicroelectronics
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1 | ■ HIGH CURRENT, HIGH SWITCHING SPEED■ SOLENOID AND RELAY DRIVERS■ REGULATOR■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS■ MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS■ AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, etc.) | Transistor Outline, Vertical | IRF530 |
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IRF530NSPBF
Infineon
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1 | Infineon IRF530NSPBF N-channel MOSFET, 17 A, 100 V HEXFET, 3-Pin D2PAK | Other | IRF530NSPBF |
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IRF530NPBF
Infineon
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1 | IRF530NPBF N-Channel MOSFET, 17 A, 100 V HEXFET, 3-Pin TO-220AB Infineon | Transistor Outline, Vertical | IRF530NPBF |
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IRF5305PBF
Infineon
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1 | MOSFET P-Channel 55V 31A TO220AB International Rectifier IRF5305PBF P-channel MOSFET Transistor, 31 A, 55 V, 3-Pin TO-220AB | Transistor Outline, Vertical | IRF5305PBF |
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IRF530SPBF
Vishay
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1 | N-Channel 100 V 14A (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263) | Other | IRF530SPBF |
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IRF530PBF-BE3
Vishay
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1 | VISHAY - IRF530PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 14A, TO-220AB | Transistor Outline, Vertical | IRF530PBF-BE3 |
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IRF5305SPBF
Infineon
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1 | INFINEON - IRF5305SPBF - Power MOSFET, P Channel, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount | Other | IRF5305SPBF |
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IRF530STRLPBF
Vishay
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1 | MOSFET N-Chan 100V 14 Amp | Other | IRF530STRLPBF |
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IRF530NS
Infineon
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1 | N-channel MOSFET,IRF530NS 17A 100V | Other | IRF530NS |
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IRF530NSTRLPBF
Infineon
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1 | IRF530NSTRLPBF N-Channel MOSFET, 17 A, 100 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon | Other | IRF530NSTRLPBF |
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IRF530PBF
Vishay
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1 | Trans MOSFET N-CH 100V 14A | Transistor Outline, Vertical | IRF530PBF |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5305
Infineon
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1 | MOSFET MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -31A, 60 mOhm, 42 nC Qg, TO-220AB | Transistor Outline, Vertical | IRF5305 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF530STRRPBF
Vishay
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1 | N-Channel 100 V 14A (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263) | Other | IRF530STRRPBF |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF532
Texas Instruments
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1 | IRF532 | IRF532 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF530CF
Texas Instruments
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1 | IRF530CF | IRF530CF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF533
Texas Instruments
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1 | IRF533 | IRF533 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF531-002PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 80V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF531-002PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF533-003
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 80V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF533-003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF531-006
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 80V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF531-006 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF530-001
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF530-001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF530N-031PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF530N-031PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF532
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF532 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||