Showing 25 of 84 results
Filter by Manufacturer
Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
---|
Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF5801
Infineon
|
1 | N-channel MOSFET,IRF5801TR 0.60A 200V | Small Outline Packages | IRF5801 |
2
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF5803TRPBF
Infineon
|
1 | MOSFET MOSFT PCh -40V -3.4A 112mOhm 25nC | SOT23 (6-Pin) | IRF5803TRPBF |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF5802TRPBF
Infineon
|
1 | MOSFET | SOT23 (6-Pin) | IRF5802TRPBF |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF5801TRPBF
Infineon
|
1 | MOSFET MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC | SOT23 (6-Pin) | IRF5801TRPBF |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF5852TRPBF
Infineon
|
1 | Infineon IRF5852TRPBF Dual N-channel MOSFET Transistor, 2.7 A, 20 V, 6-Pin TSOP | Small Outline Packages | IRF5852TRPBF |
2
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF5801
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 200V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA, TSOP-6 | IRF5801 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF5803D2TR
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 40V, 0.112ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8 | IRF5803D2TR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF5850
International Rectifier
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSOP-6 | IRF5850 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF5806TR
International Rectifier
|
1 | Transistor | IRF5806TR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF5805TRPBF
Infineon
|
1 | Transistor, | IRF5805TRPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF5851
International Rectifier
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSOP-6 | IRF5851 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF5803
Infineon
|
1 | P-channel MOSFET,IRF5803TR 3.4A 40V | IRF5803 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF5851TRPBF
International Rectifier
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSOP-6 | IRF5851TRPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF5801PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 200V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, TSOP, 6 PIN | IRF5801PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF5801TRPBF-1
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor | IRF5801TRPBF-1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF5806PBF
Infineon
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.086ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA, HALOGEN AND LEAD FREE, TSOP-6 | IRF5806PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF5804TR
International Rectifier
|
1 | Transistor | IRF5804TR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF5803TRPBF
International Rectifier
|
1 | Transistor | IRF5803TRPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF5803PBF
Infineon
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 40V, 0.112ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, TSOP-6 | IRF5803PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF5806PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.086ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA, HALOGEN AND LEAD FREE, TSOP-6 | IRF5806PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF5804
Infineon Technologies AG
|
1 | Transistor | IRF5804 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF5851TR
International Rectifier
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSOP-6 | IRF5851TR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF5806
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.086ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSOP-6 | IRF5806 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF5801PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 200V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, TSOP, 6 PIN | IRF5801PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF5800TRPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF5800TRPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||