Showing 25 of 65 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFHM3911TRPBF
Infineon
|
1 | Infineon IRFHM3911TRPBF N-channel MOSFET, 11 A, 100 V HEXFET, 8-Pin PQFN | Other | IRFHM3911TRPBF |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFHM830TRPBF
Infineon
|
1 | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 3.8mOhms | Other | IRFHM830TRPBF |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFHM8326TRPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFHM8326TRPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFHM792TR2PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.195ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFHM792TR2PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFHM8342TRPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFHM8342TRPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFHM4234TRPBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 25V, 0.0071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFHM4234TRPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFHM8337PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor | IRFHM8337PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFHM3911TRPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFHM3911TRPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFHM8337TRPBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0124ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFHM8337TRPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFHM9331TR2PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0146ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFHM9331TR2PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFHM830DTR2PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFHM830DTR2PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFHM831TR2PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0126ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFHM831TR2PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFHM830DTR2PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor | IRFHM830DTR2PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFHM830DTRPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFHM830DTRPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFHM4234PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor | IRFHM4234PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFHM9331TRPBF
VBsemi Electronics Co Ltd
|
1 | P-Channel MOSFET in DFN 3x3 EP package with -30 V drain-source voltage, 11 mΩ typical RDS(on) at VGS = -10 V, -45 A continuous drain current, and low thermal resistance for load switch and adapter applications. | IRFHM9331TRPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFHM8235TRPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFHM8235TRPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFHM9331TRPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0146ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFHM9331TRPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFHM8363TRPBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.0149ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFHM8363TRPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFHM8337PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor | IRFHM8337PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFHM830TRPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFHM830TRPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFHM8342PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor | IRFHM8342PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFHM9331TRPBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0146ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFHM9331TRPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFHM4234PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor | IRFHM4234PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFHM8363TR2PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.0149ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFHM8363TR2PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||