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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR5505
Infineon
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1 | MOSFET P-CH 55V 18A DPAK | Other | IRFR5505 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR5505
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR5505 |
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IRFR5505PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR5505PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR5505PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR5505PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR5505GPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR5505GPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR5505TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR5505TR |
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IRFR5505TRPBF
Infineon
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1 | Infineon IRFR5505TRPBF P-channel MOSFET, 18 A, 55 V HEXFET, 3-Pin TO-252AA | IRFR5505TRPBF |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR5505GPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR5505GPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR5505TRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR5505TRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR5505TRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR5505TRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR5505TRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR5505TRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR5505TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR5505TRPBF |
0
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IRFR5505TRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR5505TRL |
0
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IRFR5505TRLPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR5505TRLPBF |
0
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IRFR5505GTRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR5505GTRRPBF |
0
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IRFR5505GTRLPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR5505GTRLPBF |
0
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IRFR5505GTRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR5505GTRPBF |
0
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IRFR5505GTRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR5505GTRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR5505GTRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR5505GTRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFR5505
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | AUIRFR5505 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFR5505TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | AUIRFR5505TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFR5505TRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | AUIRFR5505TRL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFR5505TRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | AUIRFR5505TRR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFR5505
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | AUIRFR5505 |
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AUIRFR5505TRR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AUIRFR5505TRR |
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