Showing 25 of 79 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS8409-7P
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 40V 522A Automotive D2PAK-6 International Rectifier AUIRFS8409-7P N-channel MOSFET Transistor, 240 A, 522 A, 40 V, 7-Pin D2PAK | Other | Check Price & Stock |
2
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AUIRFS8407-7P
Infineon
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1 | International Rectifier AUIRFS8407-7P N-channel MOSFET Transistor, 240 A, 306 A, 40 V, 7-Pin D2PAK | Other | Check Price & Stock |
2
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AUIRFS8409-7TRL
Infineon
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1 | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A | Other | Check Price & Stock |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFS830B
Rochester Electronics LLC
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1 | 4.5A, 500V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | Check Price & Stock |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFS820
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | Check Price & Stock |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFS830A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220F, 3 PIN | Check Price & Stock |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFS840BT
Rochester Electronics LLC
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1 | 8A, 500V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | Check Price & Stock |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFS832
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | Check Price & Stock |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFS820A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220F, 3 PIN | Check Price & Stock |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFS830
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | Check Price & Stock |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFS840A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220F, 3 PIN | Check Price & Stock |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFS830B
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220F, 3 PIN | Check Price & Stock |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFS823
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 450V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | Check Price & Stock |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFS820BT
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220F, 3 PIN | Check Price & Stock |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFS820A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220F, 3 PIN | Check Price & Stock |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFS831
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 450V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | Check Price & Stock |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFS820B
Rochester Electronics LLC
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1 | 2.5A, 500V, 2.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | Check Price & Stock |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFS830BT
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220F, 3 PIN | Check Price & Stock |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFS833
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 450V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | Check Price & Stock |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFS830A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220F, 3 PIN | Check Price & Stock |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFS840B
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | Check Price & Stock |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFS820B_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN | Check Price & Stock |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFS821
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 450V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | Check Price & Stock |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFS822
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | Check Price & Stock |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFS840BT
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220F, 3 PIN | Check Price & Stock |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||