Showing 25 of 179 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM7450SESCS
Infineon
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1 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) | Transistor Outline, Vertical | IRHM7450SESCS |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM7C50SED
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM7C50SED |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM7C50SE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM7C50SE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM7C50SEPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM7C50SEPBF |
0
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IRHM7Z60
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM7Z60 |
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IRHM7C50SEU
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM7C50SEU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM7Z60PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM7Z60PBF |
0
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IRHM7C50SEUPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM7C50SEUPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM7C50SEDPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM7C50SEDPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM7C50SESCS
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM7C50SESCS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM7Z60
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM7Z60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM7C50SEUPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM7C50SEUPBF |
0
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IRHM7C50SEPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM7C50SEPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM7C50SESCSPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM7C50SESCSPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM7C50SEU
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM7C50SEU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM7Z60PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM7Z60PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM7450SEUPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.57ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM7450SEUPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM7260U
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM7260U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM7064
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM7064 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM7450
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM7450 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM7054U
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM7054U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM7150U
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM7150U |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM7130D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM7130D |
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IRHM7230D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM7230D |
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IRHM7360SESCSPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 400V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM7360SESCSPBF |
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