Showing 25 of 303 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA593160
Infineon
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1 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2)-1 | Other | IRHNA593160 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA4064
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA4064 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA57Z60
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA57Z60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA57Z60
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA57Z60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA7Z60
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA7Z60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA7064PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA7064PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA7260SESCV
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 200V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA7260SESCV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA593160SCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 100V, 0.049ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA593160SCS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA93260
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 200V, 0.159ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA93260 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA68260
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 63A I(D), 200V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA68260 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA593Z60
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 30V, 0.013ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA593Z60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA9160PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.071ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA9160PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA67164SCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 150V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA67164SCS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA3064PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA3064PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA7Z60
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA7Z60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA57064PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA57064PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA58260PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 200V, 0.043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA58260PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA593064
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 60V, 0.016ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA593064 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA8160
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 100V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA8160 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA597260PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35.5A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA597260PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA54064
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA54064 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA57064SCVPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA57064SCVPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA57260PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 200V, 0.043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA57260PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA7360SE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 400V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA7360SE |
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IRHNA57163SESCS
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 130V, 0.0137ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA57163SESCS |
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