Showing 25 of 305 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRHNA593160
Infineon
|
1 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2)-1 | Other | IRHNA593160 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHNA57163SE
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 130V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA57163SE |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHNA597064
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 60V, 0.016ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA597064 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHNA597Z60SCSD
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 30V, 0.013ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA597Z60SCSD |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHNA9160PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.071ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA9160PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHNA8160
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 100V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA8160 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHNA67160
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 100V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA67160 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHNA6S3160
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 100V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA6S3160 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHNA7264SE
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 250V, 0.123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA7264SE |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHNA54160
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA54160 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHNA7360SEPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 400V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA7360SEPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHNA57160PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA57160PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHNA58Z60
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA58Z60 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHNA7260SCS
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 200V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA7260SCS |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHNA67264D
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 250V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA67264D |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHNA57Z60SCSA
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor | IRHNA57Z60SCSA |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHNA57064SCSPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA57064SCSPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHNA58260PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 200V, 0.043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA58260PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHNA4160PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 100V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA4160PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHNA58Z60SCS
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor | IRHNA58Z60SCS |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHNA9064PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.048ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA9064PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHNA57Z60D
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA57Z60D |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHNA57160SCV
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA57160SCV |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHNA58260
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 200V, 0.043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA58260 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHNA5S97260
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 33.5A I(D), 200V, 0.102ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA5S97260 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||