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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL2910PBF
Infineon
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1 | IRL2910PBF N-Channel MOSFET, 55 A, 100 V HEXFET, 3-Pin TO-220AB Infineon | Transistor Outline, Vertical | IRL2910PBF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL2910STRRPBF
Infineon
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1 | HEXFET Power MOSFET | Other | IRL2910STRRPBF |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL2910-018
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2910-018 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL2910
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2910 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL2910-029
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2910-029 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL2910-002
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2910-002 |
0
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IRL2910-005
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2910-005 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL2910-024PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2910-024PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL2910
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2910 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL2910-003
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2910-003 |
0
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IRL2910-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2910-011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL2910-019
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2910-019 |
0
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IRL2910S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRL2910S |
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IRL2910-031
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2910-031 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL2910S
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRL2910S |
0
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IRL2910-030
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2910-030 |
0
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IRL2910-006
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2910-006 |
0
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IRL2910-003PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2910-003PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL2910-004
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2910-004 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL2910-002
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2910-002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL2910-012
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2910-012 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL2910-017
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2910-017 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL2910-013
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2910-013 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL2910-024
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2910-024 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL2910-002PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2910-002PBF |
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