Showing 25 of 197 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL520PBF
Vishay
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1 | MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) Vishay Siliconix IRL520PBF N-channel MOSFET Transistor, 9.2 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB | Transistor Outline, Vertical | IRL520PBF |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520NPBF
Infineon
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1 | Infineon IRL520NPBF N-channel MOSFET, 10 A, 100 V LogicFET, 3-Pin TO-220AB | Transistor Outline, Vertical | IRL520NPBF |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520PBF
Vishay
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1 | MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) Vishay Siliconix IRL520PBF N-channel MOSFET Transistor, 9.2 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB | Transistor Outline, Vertical | IRL520PBF |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520NSTRLPBF
Infineon
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1 | MOSFET MOSFT 100V 10A 180mOhm 13.3nC LogLv | Other | IRL520NSTRLPBF |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520N-029PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL520N-029PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520-029
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL520-029 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520-009
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL520-009 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520N-015PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 10A, 100V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRL520N-015PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520-017PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 9.2A, 100V, 0.27ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRL520-017PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520SU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, I2PAK-3 | IRL520SU |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520-017PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL520-017PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520N-002
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL520N-002 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520N-004PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 10A, 100V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN | IRL520N-004PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520-002
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | IRL520-002 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520-013
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL520-013 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520N-009
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | IRL520N-009 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520NLPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, | IRL520NLPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520-007
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL520-007 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520-015PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL520-015PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520N-005PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL520N-005PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520-015PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 9.2A, 100V, 0.27ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRL520-015PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520-001
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRL520-001 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520-007PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL520-007PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520-018
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL520-018 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520-010PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 9.2A, 100V, 0.27ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRL520-010PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||