Showing 25 of 55 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLL014TRPBF
Vishay
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1 | N channel ;VBRDSS 60 V; RDSon 200 mOhm | SOT223 (3-Pin) | IRLL014TRPBF |
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IRLL014NPBF
Infineon
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1 | MOSFET N-Channel 55V 2.8A SOT223 International Rectifier IRLL014NPBF N-channel MOSFET Transistor, 2.8 A, 55 V, 4-Pin SOT-223 | SOT223 (3-Pin) | IRLL014NPBF |
3
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IRLL024NTRPBF
Infineon
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1 | Infineon IRLL024NTRPBF N-channel MOSFET, 4.4 A, 55 V HEXFET, 3+Tab-Pin SOT-223 | SOT223 (3-Pin) | IRLL024NTRPBF |
3
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IRLL014NTRPBF
Infineon
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1 | INFINEON - IRLL014NTRPBF - Power MOSFET, HEXFET, N Channel, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Surface Mount | SOT223 (3-Pin) | IRLL014NTRPBF |
3
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IRLL024ZTRPBF
Infineon
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1 | INFINEON - IRLL024ZTRPBF - MOSFET, N-CH, 55V, 5A, SOT-223 | SOT223 (3-Pin) | IRLL024ZTRPBF |
3
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IRLL014TRPBF-BE3
Vishay
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1 | MOSFETs SOT223 60V 2.7A N-CH MOSFET | SOT223 (3-Pin) | IRLL014TRPBF-BE3 |
3
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AUIRLL024ZTR
Infineon
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1 | MOSFET Automotive MOSFET 55 MOSFET 55V 60mOhm | SOT223 (3-Pin) | AUIRLL024ZTR |
3
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IRLL014TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRLL014TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLL014NTR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 55V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRLL014NTR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLL014NTRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 55V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRLL014NTRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLL014PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRLL014PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLL014
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRLL014 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLL024Z
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRLL024Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLL024NQPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 55V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLL024NQPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLL024NPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 55V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRLL024NPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLL024NTR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 55V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRLL024NTR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLL024NQTR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 55V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLL024NQTR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLL024ZTR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRLL024ZTR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLL014TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRLL014TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLL024ZTRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRLL024ZTRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLL024Z
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRLL024Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLL024NTRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 55V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRLL024NTRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLL014PBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLL014PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLL014TRPBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRLL014TRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLL024NQTR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 55V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLL024NQTR |
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