Showing 25 of 81 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR110TRPBF
Vishay
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1 | VISHAY - IRLR110TRPBF - Power MOSFET, N Channel, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252AA, Surface Mount | Other | IRLR110TRPBF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR110TR
Vishay
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1 | MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLR110TRPBF | Other | IRLR110TR |
3
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IRLR120
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IRLR120 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR110TRPBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IRLR110TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR110TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR110TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR120TRLPBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IRLR120TRLPBF |
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IRLR120N
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR120N |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR120PBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IRLR120PBF |
0
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IRLR130ATM
Rochester Electronics LLC
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1 | 13A, 100V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | IRLR130ATM |
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IRLR120N
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLR120N |
0
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IRLR120
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR120 |
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IRLR120TRRPBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IRLR120TRRPBF |
0
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IRLR120TRRPBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IRLR120TRRPBF |
0
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IRLR120ATM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IRLR120ATM |
0
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IRLR110PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR110PBF |
0
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IRLR120NTRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR120NTRR |
0
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IRLR120NTRLHR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR120NTRLHR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR120NTRHR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR120NTRHR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR130A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLR130A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR120NTRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR120NTRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR110TRLPBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR110TRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR110ATF
Rochester Electronics LLC
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1 | 4.7A, 100V, 0.44ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | IRLR110ATF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR120NTRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR120NTRLPBF |
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IRLR121
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 80V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLR121 |
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IRLR110
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IRLR110 |
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