Showing 25 of 50 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSD363YTU
onsemi
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1 | Collector Current: IC= 6 A; Collector-Base Voltage: VCBO= 300 V; Collector Dissipation: PC= 40 W (TC=25°C)B/W TV Horizontal Deflection Output | Transistor Outline, Vertical | KSD363YTU |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSD363RTU
onsemi
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1 | Collector Current: IC= 6 A; Collector-Base Voltage: VCBO= 300 V; Collector Dissipation: PC= 40 W (TC=25°C)B/W TV Horizontal Deflection Output | Transistor Outline, Vertical | KSD363RTU |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSD362RTU
onsemi
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1 | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil | Transistor Outline, Vertical | KSD362RTU |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSD363RJ69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | KSD363RJ69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSD362N
Inchange Semiconductor Company Ltd
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1 | Transistor | KSD362N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSD362R
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | KSD362R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSD363
Samsung Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | KSD363 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSD363OJ69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | KSD363OJ69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSD363Y
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | KSD363Y |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSD362RJ69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | KSD362RJ69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSD363R
Rochester Electronics LLC
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1 | 6A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220, 3 PIN | KSD363R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSD363Y
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | KSD363Y |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSD363O
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | KSD363O |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSD363RTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | KSD363RTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSD362RTU
Rochester Electronics LLC
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1 | 5A, 70V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | KSD362RTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSD362
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | KSD362 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSD362R
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | KSD362R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSD363O
Inchange Semiconductor Company Ltd
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1 | Transistor | KSD363O |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSD363-R
Samsung Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN | KSD363-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSD362N
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | KSD362N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSD363-O
Samsung Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN | KSD363-O |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSD363RTU
Rochester Electronics LLC
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1 | 6A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220, 3 PIN | KSD363RTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSD363YJ69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | KSD363YJ69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSD362-N
Samsung Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN | KSD362-N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSD362O
Inchange Semiconductor Company Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor | KSD362O |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||