Showing 25 of 55 results
Filter by Manufacturer
Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
---|
Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJD30
Freescale Semiconductor
|
1 | TRANSISTOR,BJT,PNP,40V V(BR)CEO,1A I(C),TO-252 | MJD30 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
MJD30
Samsung Semiconductor
|
1 | Transistor | MJD30 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
MJD30
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3 | MJD30 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
MJD30
Motorola Semiconductor Products
|
1 | Transistor | MJD30 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
MJD3055T4G
onsemi
|
1 | 10 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor, DPAK (SINGLE GAUGE) TO-252, 2500-REEL | TO-XXX (Inc. DPAK) | MJD3055T4G |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
MJD3055RLG
onsemi
|
1 | Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 10A 60V SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 60 VOLTS, 20 WATTS | Other | MJD3055RLG |
2
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
MJD3055
onsemi
|
1 | Obsolete - 10 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor | Other | MJD3055 |
2
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
MJD3055G
onsemi
|
1 | Obsolete - 10 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor | Other | MJD3055G |
2
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
MJD30-I
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, IPAK-3 | MJD30-I |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
MJD30C-1
Samsung Semiconductor
|
1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, IPAK-3 | MJD30C-1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
MJD30C-I
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, IPAK-3 | MJD30C-I |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
MJD30C-T1
Samsung Semiconductor
|
1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3 | MJD30C-T1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
MJD30C
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3 | MJD30C |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
MJD30-1
Samsung Semiconductor
|
1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, IPAK-3 | MJD30-1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
MJD30-T1
Samsung Semiconductor
|
1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3 | MJD30-T1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
MJD3055-T1
Samsung Semiconductor
|
1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3 | MJD3055-T1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
MJD3055
STMicroelectronics
|
1 | 10A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252, DPAK-3 | MJD3055 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
MJD30TF
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Transistor | MJD30TF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
MJD3055TF
Rochester Electronics LLC
|
1 | 10A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252, DPAK-3 | MJD3055TF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
MJD3055T4
STMicroelectronics
|
1 | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch | Other | MJD3055T4 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
MJD3055-1
Motorola Mobility LLC
|
1 | 10A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR | MJD3055-1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
MJD3055T4
Motorola Mobility LLC
|
1 | 10A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR | MJD3055T4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
MJD3055
Motorola Semiconductor Products
|
1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD3055 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
MJD3055
Galaxy Microelectronics
|
1 | Medium Power NPN Bipolar Transistor; Polarity: NPN; V(BR)CEO Min (V): 60V; IC (A): 10A; HFE Min: 20; HFE Max: 100; VCE (V): 4V; IC (mA): 4000mA; VCE(SAT) (V): 8V; IC (mA)1: 10000mA; IB (mA): 3300mA; FT Min (MHz): 2 MHz; PTM Max (W): 1.75W; Package: TO-251/252; package_code: TO-251/252; mfr_package_code: TO-251/252 | MJD3055 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
MJD3055
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3 | MJD3055 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||