Showing 25 of 49 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD30
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,BJT,PNP,40V V(BR)CEO,1A I(C),TO-252 | MJD30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD30
Samsung Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, PNP | MJD30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD30
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD30
Motorola Semiconductor Products
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1 | Transistor | MJD30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD3055T4G
onsemi
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1 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 10 A 2MHz 1.75 W Surface Mount DPAK | Other | MJD3055T4G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD3055
onsemi
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1 | 10 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor | Other | MJD3055 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD3055RLG
onsemi
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1 | Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix); DC Current Gain Specified to 10 Amperes; Straight Lead Version in Plastic Sleeves ("-1" Suffix); Electrically Similar to MJE2955 and MJE3055; Lead Formed Version Available in 16 mm Tape and Reel ("T4" Suffix); High Current Gain-Bandwidth Product fT = 2.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc; NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable; These are PbFr | Other | MJD3055RLG |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD3055G
onsemi
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1 | Obsolete - 10 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor | Other | MJD3055G |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NJVMJD3055T4G
onsemi
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1 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 10 A 2MHz 1.75 W Surface Mount DPAK , 10 A , 60 V , -55°C ~ 150°C (TJ) | Other | NJVMJD3055T4G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD30TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, PNP | MJD30TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD30C
Motorola Semiconductor Products
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1 | Transistor | MJD30C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD30C-1
Samsung Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD30C-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD30-I
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD30-I |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD30C-T1
Samsung Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD30C-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD30C-I
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD30C-I |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD30C
Samsung Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, PNP | MJD30C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD30C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD30C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD30-T1
Samsung Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD30-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD30-1
Samsung Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD30-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD30CTF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, PNP | MJD30CTF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD3055T4
STMicroelectronics
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252AA, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD3055T4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD3055TF
Rochester Electronics LLC
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1 | 10A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252, DPAK-3 | MJD3055TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD3055
STMicroelectronics
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD3055 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD3055-T1
Samsung Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD3055-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD3055
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD3055 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||