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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRFG35003N6AT1
NXP
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1 | RF JFET Transistors 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5 | Other | MRFG35003N6AT1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRFG35003ANT1
NXP Semiconductors
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor | MRFG35003ANT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRFG35020AR1
Freescale Semiconductor
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET | MRFG35020AR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRFG35010R5
Freescale Semiconductor
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET | MRFG35010R5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRFG35010
Freescale Semiconductor
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET | MRFG35010 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRFG35003ANT1
Rochester Electronics LLC
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1 | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PLD-1.5, CASE 466-03, 4 PIN | MRFG35003ANT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRFG35010R5
Rochester Electronics LLC
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1 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET, ROHS COMPLIANT, NI-360HF, CASE 360D-02, 2 PIN | MRFG35010R5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRFG35010MT1
Freescale Semiconductor
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET | MRFG35010MT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRFG35005ANT1
Freescale Semiconductor
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET | MRFG35005ANT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRFG35002N6AT1
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | MRFG35002N6AT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRFG35010AR5
Freescale Semiconductor
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET | MRFG35010AR5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRFG35003M6T1
Freescale Semiconductor
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET | MRFG35003M6T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRFG35010MT1
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | MRFG35010MT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRFG35003N6T1
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | MRFG35003N6T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRFG35002N6T1
Rochester Electronics LLC
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1 | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 466-03, PLD1.5, 4 PIN | MRFG35002N6T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRFG35003M6T1
Motorola Semiconductor Products
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET | MRFG35003M6T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRFG35003NT1
NXP Semiconductors
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor | MRFG35003NT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRFG35002N6T1
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | MRFG35002N6T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRFG35003NT1
Freescale Semiconductor
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET | MRFG35003NT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRFG35010NT1
Rochester Electronics LLC
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1 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PLD-1.5, CASE 466-03, 4 PIN | MRFG35010NT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRFG35030R5
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET | MRFG35030R5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRFG35003NT1
Rochester Electronics LLC
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1 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 466-03, PLD-1.5, 4 PIN | MRFG35003NT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRFG35005NT1
Rochester Electronics LLC
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1 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PLD-1.5, CASE 466-03, 4 PIN | MRFG35005NT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRFG35020AR1
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | MRFG35020AR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRFG35010ANT1
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET | MRFG35010ANT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||