Showing 16 of 16 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NDT452AP
onsemi
|
1 | High power and current handling capability in a widely used surface mount package; -5A, -30V. RDS(ON) = 0.065 Ω @ VGS = -10V RDS(ON) = 0.1 Ω @ VGS = -4.5V ; High density cell design for extremely low RDS(ON) | SOT223 (3-Pin) | NDT452AP |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDT452AP
Texas Instruments
|
1 | 5A, 30V, 0.065ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 | NDT452AP |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDT452AP
National Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261 | NDT452AP |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDT452AP
Rochester Electronics LLC
|
1 | 5A, 30V, 0.065ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | NDT452AP |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDT452AP
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDT452AP |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDT452APJ23Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDT452APJ23Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDT452AP/S62Z
Texas Instruments
|
1 | 5A, 30V, 0.065ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 | NDT452AP/S62Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDT452AP/D84Z
Texas Instruments
|
1 | 5A, 30V, 0.065ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 | NDT452AP/D84Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDT452AP_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDT452AP_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDT452AP/J23Z
Texas Instruments
|
1 | 5A, 30V, 0.065ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | NDT452AP/J23Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDT452APL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDT452APL99Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDT452AP/L99Z
Texas Instruments
|
1 | 5A, 30V, 0.065ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 | NDT452AP/L99Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDT452APS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDT452APS62Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDT452APL84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDT452APL84Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDT452APD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDT452APD84Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FHNDT452AP
Fenghua (HK) Electronics Ltd
|
1 | Transistor | FHNDT452AP |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||