Showing 16 of 16 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NDT456P
onsemi
|
1 | -7.5 A, -30 V RDS(ON) = 0.030 Ω @ VGS = -10 V RDS(ON) = 0.045 Ω @ VGS = -4.5 V ; High density cell design for extremely low RDS(ON) ; High power and current handling capability in a widely used surface mount package | SOT223 (3-Pin) | NDT456P |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDT456P
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDT456P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDT456P
Texas Instruments
|
1 | 7.5A, 30V, 0.03ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 | NDT456P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDT456P
National Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261 | NDT456P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDT456PD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDT456PD84Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDT456P/J23Z
Texas Instruments
|
1 | 7.5A, 30V, 0.03ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | NDT456P/J23Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDT456PJ23ZD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDT456PJ23ZD84Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDT456PS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 0.045ohm, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261 | NDT456PS62Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDT456P/D84Z
Texas Instruments
|
1 | 7.5A, 30V, 0.03ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 | NDT456P/D84Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDT456PJ23Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDT456PJ23Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDT456P/L99Z
Texas Instruments
|
1 | 7.5A, 30V, 0.03ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 | NDT456P/L99Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDT456P/S62Z
Texas Instruments
|
1 | 7.5A, 30V, 0.03ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 | NDT456P/S62Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDT456PL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 0.045ohm, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261 | NDT456PL99Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDT456PL84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDT456PL84Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDT456P_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDT456P_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FHNDT456P
Fenghua (HK) Electronics Ltd
|
1 | Transistor | FHNDT456P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||