Showing 25 of 116 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5517DR2G
onsemi
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1 | Constant Impedance Buffers; Delta VBE of Buffer is Constant with Amplifier Ibias Change; Excellent Matching Between Amplifiers; Linearizing Diodes; High Output Signal-to-Noise Ratio | Small Outline Packages | NE5517DR2G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5516AH-200
LSI Corporation
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1 | EEPROM, 2KX8, 200ns, Parallel, MOS, PQCC32 | NE5516AH-200 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5511279A-T1A-A
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5511279A-T1A-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5515K4+/-1%
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 15400ohm, 250V, 1% +/-Tol, 25ppm/Cel, Through Hole Mount | NE5515K4+/-1% |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5510179A-T1
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5510179A-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5517D
Philips Semiconductors
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1 | Operational Amplifier, 2 Func, 5000uV Offset-Max, BIPolar, PDSO16 | NE5517D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5517A-150
LSI Corporation
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1 | EEPROM, 2KX8, 150ns, Parallel, MOS, PQCC32 | NE5517A-150 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE551K27+/-.25%
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 1270ohm, 250V, 0.25% +/-Tol, -25,25ppm/Cel, | NE551K27+/-.25% |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5517ANG
onsemi
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1 | Operational Amplifier, 2 Func, 5000uV Offset-Max, BIPolar, PDIP16 | NE5517ANG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5510379A
NEC Electronics Group
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5510379A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5510179A-T1
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5510179A-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5512D-T
Philips Semiconductors
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1 | Operational Amplifier, 2 Func, BIPolar, PDSO8 | NE5512D-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5517A-200
LSI Corporation
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1 | EEPROM, 2KX8, 200ns, Parallel, MOS, PQCC32 | NE5517A-200 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5517D
NXP Semiconductors
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1 | Operational Amplifier, 2 Func, 5000uV Offset-Max, BIPolar, PDSO16 | NE5517D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5510K2+/-.5%
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 10200ohm, 250V, 0.5% +/-Tol, 25ppm/Cel, Through Hole Mount | NE5510K2+/-.5% |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5517AH-150
LSI Corporation
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1 | EEPROM, 2KX8, 150ns, Parallel, MOS, PQCC32 | NE5517AH-150 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE551.5K1
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.1W, 1500ohm, 1% +/-Tol, 25ppm/Cel, | NE551.5K1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5510179A-T1
NEC Electronics Group
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5510179A-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5512D
NXP Semiconductors
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1 | Operational Amplifier, 2 Func, 5000uV Offset-Max, BIPolar, PDSO8 | NE5512D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5518K2+/-1%
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 18200ohm, 250V, 1% +/-Tol, 25ppm/Cel, Through Hole Mount | NE5518K2+/-1% |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5510279A
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5510279A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5512D
Philips Semiconductors
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1 | Operational Amplifier, 2 Func, BIPolar, PDSO8 | NE5512D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5517N
Philips Semiconductors
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1 | Operational Amplifier, 2 Func, 5000uV Offset-Max, BIPolar, PDIP16 | NE5517N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5511279A
NEC Electronics Group
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5511279A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5512D-T
NXP Semiconductors
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1 | Operational Amplifier, 2 Func, 5000uV Offset-Max, BIPolar, PDSO8 | NE5512D-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||