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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NGTB50N120FL2WG
onsemi
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1 | Soft Fast Reverse Recovery Diode; Optimized for High Speed Switching; 10µ?s Short Circuit Capability; TJmax = 175°C; Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology | Transistor Outline, Vertical | NGTB50N120FL2WG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NGTB50N60FLWG
onsemi
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1 | Obsolete - IGBT, 600 V, 50 A | Transistor Outline, Vertical | NGTB50N60FLWG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NGTB50N60L2WG
onsemi
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1 | Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology; TJmax = 175°C; Soft Fast Reverse Recovery Diode; Optimized for High Speed Switching; 5 s Short−Circuit Capability; These are Pb−Free Devices | Transistor Outline, Vertical | NGTB50N60L2WG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NGTB50N120FL2WAG
onsemi
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1 | Last Shipments - IGBT, 1200V 50A FS2 Solar/UPS | Other | NGTB50N120FL2WAG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NGTB50N65S1WG
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 140A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | NGTB50N65S1WG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NGTB50N60S1WG
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | NGTB50N60S1WG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NGTB50N60FWG
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | NGTB50N60FWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NGTB50N65FL2WG
onsemi
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1 | Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology; TJmax = 175°C; Soft Fast Reverse Recovery Diode; Optimized for High Speed Switching; 5 µs Short−Circuit Capability | NGTB50N65FL2WG |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NGTB50N60SWG
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | NGTB50N60SWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NGTB50N65FL2WAG
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | NGTB50N65FL2WAG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NGTB50N60FL2WG
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | NGTB50N60FL2WG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||