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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTB5605PT4G
onsemi
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1 | Obsolete - Power MOSFET 60V 169A 3.0 mOhm Single N-Channel D2PAK Logic Level | Other | NTB5605PT4G |
3
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NTB5605PT4G
Rochester Electronics LLC
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1 | 18.5A, 60V, 0.14ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, CASE 418B-04, D2PAK-3 | NTB5605PT4G |
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NTB5605T4G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18.5A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTB5605T4G |
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NTB5605P
Rochester Electronics LLC
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1 | 18.5A, 60V, 0.14ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 418B-04, D2PAK-3 | NTB5605P |
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NTB5605PT4
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18.5A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTB5605PT4 |
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NTB5605PG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18.5A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTB5605PG |
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NTB5605P
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18.5A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTB5605P |
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NTB5605PG
Rochester Electronics LLC
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1 | 18.5A, 60V, 0.14ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3 | NTB5605PG |
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