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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTD25
EDI Diodes (Electronic Devices Inc)
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1 | Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 0.3A, 25000V V(RRM), Silicon | NTD25 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTD25P03LT4G
onsemi
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1 | RoHS Compliant | Other | NTD25P03LT4G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTD25P03L
onsemi
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1 | Single P-Channel Logic Level Power MOSFET -30V, -25A, 72mΩ, 80mOhm, 250µA, -55°C ~ 150°C | Other | NTD25P03L |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTD250N65S3H
onsemi
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1 | 700 V @ TJ = 150°C; Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 24 nC); Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 229 pF); Fast switching performance with robust body diode; 100% Avalanche Tested; RoHS Compliant; Typ. RDS(on) = 201 m Ω; Internal Gate Resistance: 0.9 Ω | Other | NTD250N65S3H |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1 | RF Inductors - SMD 1608 0.56uH 30% 0.45ohm 500mA | Inductors Chip | MLJ1608WGCR56NTD25 |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTD25P03LT4
Rochester Electronics LLC
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1 | 25A, 30V, 0.08ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C-01, DPAK-3 | NTD25P03LT4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTD25P03LG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 30V, 0.08ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTD25P03LG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTD25P03L1
Rochester Electronics LLC
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1 | 25A, 30V, 0.08ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369D-01, DPAK-3 | NTD25P03L1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTD25P03L
Rochester Electronics LLC
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1 | 25A, 30V, 0.08ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C-01, DPAK-3 | NTD25P03L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTD25P03LRL
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 30V, 0.08ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTD25P03LRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTD25P03LT4
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 30V, 0.08ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTD25P03LT4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTD25P03L1
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 30V, 0.08ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTD25P03L1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTD25P03LT4G
Rochester Electronics LLC
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1 | 25A, 30V, 0.08ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369C-01, DPAK-3 | NTD25P03LT4G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTD25P03LRLG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 30V, 0.08ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTD25P03LRLG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTD25P03L1G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 30V, 0.08ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTD25P03L1G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTD25P03LG
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | P-Channel 30V MOSFET with 0.033 ohm RDS(on) at VGS = -10V, 26A continuous drain current, 19nC gate charge, in TO-252 package, RoHS compliant and halogen-free. | NTD25P03LG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||