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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTHD3101FT3G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 0.08ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTHD3101FT3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTHD3100CT3G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 20V, 0.08ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTHD3100CT3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTHD3100CT3
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 20V, 0.08ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTHD3100CT3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTHD3102CT1G
Rochester Electronics LLC
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1 | 4A, 20V, 0.045ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, LEAD LESS, CASE 1206A-03, CHIPFET-8 | NTHD3102CT1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTHD3101FT1
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 0.08ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTHD3101FT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTHD3100CT1G
Rochester Electronics LLC
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1 | 2.9A, 20V, 0.08ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, LEADLESS, CASE 1206A-03, CHIPFET-8 | NTHD3100CT1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTHD3102CT1G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.045ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTHD3102CT1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTHD3101FT3
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 0.08ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTHD3101FT3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTHD3102CT1
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 20V, 0.038ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTHD3102CT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTHD3133PFT1G
Rochester Electronics LLC
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1 | 3200mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, CASE 1206A-03, CHIPFET-8 | NTHD3133PFT1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTHD3100CT3
Rochester Electronics LLC
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1 | 2.9A, 20V, 0.08ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEADLESS, CASE 1206A-03, CHIPFET-8 | NTHD3100CT3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTHD3133PFT3G
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTHD3133PFT3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTHD3100CT3G
Rochester Electronics LLC
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1 | 2.9A, 20V, 0.08ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, LEADLESS, CASE 1206A-03, CHIPFET-8 | NTHD3100CT3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTHD3133PFT1G
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTHD3133PFT1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTHD3101FT1G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 0.08ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTHD3101FT1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTHD3101FT1G
Rochester Electronics LLC
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1 | 3.2A, 20V, 0.08ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, LEADLESS, CASE 1206A-03, CHIPFET-8 | NTHD3101FT1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTHD3100CT1G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 20V, 0.08ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTHD3100CT1G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTHD3100CT1
Rochester Electronics LLC
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1 | 2.9A, 20V, 0.08ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEADLESS, CASE 1206A-03, CHIPFET-8 | NTHD3100CT1 |
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NTHD3100CT1
onsemi
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1 | Mosfet Array 20V 2.9A, 3.2A 1.1W Surface Mount ChipFET™ | NTHD3100CT1 |
1
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