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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PDTB123ET-QR
Nexperia
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1 | 500 mA, 50 V PNP resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm | SOT23 (3-Pin) | PDTB123ET-QR |
3
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PDTB114EU-QX
Nexperia
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1 | PDTB114EU-Q - 50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistor@en-us | SOT23 (3-Pin) | PDTB114EU-QX |
3
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PDTB113ET-QR
Nexperia
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1 | 50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistor; R1 = 1 kOhm, R2 = 1 kOhm | SOT23 (3-Pin) | PDTB113ET-QR |
3
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PDTB143EU-QX
Nexperia
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1 | 50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistor | SOT23 (3-Pin) | PDTB143EU-QX |
3
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PDTB113ZT
Nexperia
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1 | PDTB113ZT, Digital Transistor, PNP 500 MA 50 V 1 kΩ, Ratio Of 0.1, 3-Pin TO-236AB | SOT23 (3-Pin) | PDTB113ZT |
3
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PDTB123YT
Nexperia
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1 | Nexperiaplastic, surface-mounted package; 3 terminals; 1.9 mm pitch; 2.9mm x 1.3 mm x 1 mm body | SOT23 (3-Pin) | PDTB123YT |
3
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PDTB114ET
Nexperia
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1 | Brt Trans, 10K/10Kohm, Sot23-3; Digital Transistor Polarity:Single Pnp; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:-50V; Continuous Collector Current Ic:-500Ma; Base Input Resistor R1:10Kohm; Base-Emitter Resistor R2:10Kohm; Resistor Ratio, Rohs Compliant: Yes |Nexperia PDTB114ET | SOT23 (3-Pin) | PDTB114ET |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PDTB123YU-QX
Nexperia
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1 | 500 mA output current capability• Reduces pick and place costs• Built-in bias resistors• ±10 % resistor ratio tolerance• Simplifies circuit design• Reduces component count• High temperature applications up to 175 °C• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications | SOT23 (3-Pin) | PDTB123YU-QX |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PDTB114ET-QR
Nexperia
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1 | 50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistor | SOT23 (3-Pin) | PDTB114ET-QR |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PDTB123YT,215
Nexperia
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1 | PNP Transistor,100mA,PDTB123YT | SOT23 (3-Pin) | PDTB123YT,215 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PDTB143ET-QR
Nexperia
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1 | 500 mA output current capability• Built-in bias resistors• Simplifies circuit design• Reduces component count• ±10 % resistor ratio tolerance• High temperature applications up to 175 °C• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications | SOT23 (3-Pin) | PDTB143ET-QR |
3
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PDTB123YU-QF
Nexperia
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1 | 50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistor | SOT23 (3-Pin) | PDTB123YU-QF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PDTB113ZT-QR
Nexperia
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1 | PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 1 k?, R2 = 10 k? | SOT23 (3-Pin) | PDTB113ZT-QR |
3
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PDTB113ZU-QX
Nexperia
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1 | 50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistor | SOT23 (3-Pin) | PDTB113ZU-QX |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PDTB113ZU-QF
Nexperia
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1 | 50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistor,300 mW,425 mW -55 175 °C | SOT23 (3-Pin) | PDTB113ZU-QF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PDTB113ZT,235
NXP Semiconductors
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB | PDTB113ZT,235 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PDTB113ET/A2,215
NXP Semiconductors
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP, Silicon | PDTB113ET/A2,215 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PDTB113ZU
Nexperia
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | PDTB113ZU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PDTB123ET,235
Nexperia
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB | PDTB123ET,235 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PDTB143XU
NXP Semiconductors
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | PDTB143XU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PDTB123EK
NXP Semiconductors
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236 | PDTB123EK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PDTB143ET-Q
Nexperia
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1 | Small Signal Bipolar Transistor | PDTB143ET-Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PDTB114ET
Philips Semiconductors
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP, Silicon | PDTB114ET |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PDTB123TT,235
NXP Semiconductors
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB | PDTB123TT,235 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PDTB143ETR
Nexperia
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1 | PDTB1xxxT series - 500 mA, 50 V PNP resistor-equipped transistors | PDTB143ETR |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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