Showing 25 of 4206 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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QPD1009
Qorvo
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1 | RF JFET Transistors DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN | Quad Flat No-Lead | QPD1009 |
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2SC1971
Mitsubishi
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1 | Trans RF BJT NPN 17V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 / NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications) | Transistor Outline, Vertical | 2SC1971 |
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2N3866
Microsemi Corporation
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1 | TRANS NPN 30V 0.4A TO-39 | Other | 2N3866 |
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2N2222A
Multicomp Pro
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1 | TRANSISTOR, NPN, 40V, 800MA, TO-18 | Other | 2N2222A |
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2SC1971
Advanced Semiconductor, Inc.
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1 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Transistor Outline, Vertical | 2SC1971 |
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2SC1972
Mitsubishi
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1 | NPN RF Power Transistor | Transistor Outline, Vertical | 2SC1972 |
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MAX2601ESA+
Analog Devices
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1 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS - MAX2601ESA+ - RF Amplifier IC, 11.6 dB Gain, DC to 1 GHz, 17 V Collector-Emitter, 1 W Power, NSOIC-8 | Small Outline Packages | MAX2601ESA+ |
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BFQ790H6327XTSA1
Infineon
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1 | INFINEON - BFQ790H6327XTSA1 - Bipolar - RF Transistor, NPN, 6.1 V, 20 GHz, 1.5 W, 300 mA, 60 hFE | Other | BFQ790H6327XTSA1 |
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MAX2602ESA+
Analog Devices
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1 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS - MAX2602ESA+ - RF Amplifier IC, 11.6 dB Gain, DC to 1 GHz, 17 V Collector-Emitter, 1 W Power, NSOIC-8 | Small Outline Packages | MAX2602ESA+ |
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2SC5551AF-TD-E
onsemi
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1 | High fT : (fT=3.5GHz typ); Large current : (IC=300mA); Large allowable collector dissipation (1.3W max) | Other | 2SC5551AF-TD-E |
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2N3375
NXP
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1 | The ASI 2N3375 is Designed for Class A,B,C Amplifier,Oscillator and Driver Applications Covering the VHF-UHF Region. | Other | 2N3375 |
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BFR94A,215
NXP
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1 | NPN 5 GHz wideband transistor | SOT23 (3-Pin) | BFR94A,215 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N3375
Advanced Semiconductor, Inc.
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1 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Other | 2N3375 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTB23002U
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, NPN | PTB23002U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SD1019
Advanced Power Technology
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN | SD1019 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLX65
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-39 | BLX65 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ASI10749
Advanced Semiconductor Inc
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN | ASI10749 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRF547
Motorola Semiconductor Products
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, PNP, TO-117 | MRF547 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SA1537D
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Si, PNP, RF POWER TRANSISTOR, TO-126ML, 3 PIN | 2SA1537D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IB2731M110
Integra Technologies Inc
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, NPN | IB2731M110 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ASI10654
Advanced Semiconductor Inc
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN | ASI10654 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SD1429
Advanced Power Technology
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | SD1429 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N4440
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | 2N4440 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC3597
SANYO Electric Co Ltd
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN, TO-126 | 2SC3597 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ASI10562
Advanced Semiconductor Inc
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN | ASI10562 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||