Showing 25 of 4208 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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QPD1009
Qorvo
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1 | RF JFET Transistors DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN | Quad Flat No-Lead | QPD1009 |
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2SC1971
Mitsubishi
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1 | Trans RF BJT NPN 17V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 / NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications) | Transistor Outline, Vertical | 2SC1971 |
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2N3866
Microsemi Corporation
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1 | TRANS NPN 30V 0.4A TO-39 | Other | 2N3866 |
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2N2222A
Multicomp Pro
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1 | TRANSISTOR, NPN, 40V, 800MA, TO-18 | Other | 2N2222A |
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2SC1972
Mitsubishi
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1 | NPN RF Power Transistor | Transistor Outline, Vertical | 2SC1972 |
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MAX2601ESA+
Analog Devices
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1 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS - MAX2601ESA+ - RF Amplifier IC, 11.6 dB Gain, DC to 1 GHz, 17 V Collector-Emitter, 1 W Power, NSOIC-8 | Small Outline Packages | MAX2601ESA+ |
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2SC1971
Advanced Semiconductor, Inc.
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1 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Transistor Outline, Vertical | 2SC1971 |
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BFQ790H6327XTSA1
Infineon
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1 | INFINEON - BFQ790H6327XTSA1 - Bipolar - RF Transistor, NPN, 6.1 V, 20 GHz, 1.5 W, 300 mA, 60 hFE | Other | BFQ790H6327XTSA1 |
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MAX2602ESA+
Analog Devices
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1 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS - MAX2602ESA+ - RF Amplifier IC, 11.6 dB Gain, DC to 1 GHz, 17 V Collector-Emitter, 1 W Power, NSOIC-8 | Small Outline Packages | MAX2602ESA+ |
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2SC5551AF-TD-E
onsemi
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1 | High fT : (fT=3.5GHz typ); Large current : (IC=300mA); Large allowable collector dissipation (1.3W max) | Other | 2SC5551AF-TD-E |
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2N3375
NXP
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1 | The ASI 2N3375 is Designed for Class A,B,C Amplifier,Oscillator and Driver Applications Covering the VHF-UHF Region. | Other | 2N3375 |
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2N3375
Advanced Semiconductor, Inc.
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1 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Other | 2N3375 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BFR94A,215
NXP
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1 | NPN 5 GHz wideband transistor | SOT23 (3-Pin) | BFR94A,215 |
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2N6093
Advanced Semiconductor Inc
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-217 | 2N6093 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ISL73128RHX/SAMPLE
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Power Bipolar Transistor | ISL73128RHX/SAMPLE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N3927
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN | 2N3927 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MSC1300M
Advanced Semiconductor Inc
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN | MSC1300M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1214-220M
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN | 1214-220M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ASI10735
Advanced Semiconductor Inc
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN | ASI10735 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC2629
Mitsubishi Electric
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN | 2SC2629 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TP5050
Motorola Semiconductor Products
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | TP5050 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTB20170
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN | PTB20170 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2003
Acrian Inc
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1 | RF Power Bipolar Transistor | 2003 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLW898
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | BLW898 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ASI10625
Advanced Semiconductor Inc
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | ASI10625 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||