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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFM01U7P(TE12L,F)
Toshiba
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1 | RF MOSFET Transistors Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 3W 20V | Other | RFM01U7P(TE12L,F) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFM01U7P
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFM01U7P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFM01U7P(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFM01U7P(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM014AD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFM014AD84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM010
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFM010 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FHIRFM014A
Fenghua (HK) Electronics Ltd
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1 | Transistor | FHIRFM014A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM014A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFM014A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM014A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRFM014A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM014AS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFM014AS62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM014AL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFM014AL99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM014
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFM014 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SRFM-01GG-S0.9
JST Manufacturing
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1 | Connector Accessory | SRFM-01GG-S0.9 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||