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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP12N10L
onsemi
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1 | Compatible with Automotive Drive Requirements; SOA is Power Dissipation Limited; Can be Driven Directly from CMOS, NMOS, TTL Circuits; Majority Carrier Device; Design Optimized for 5V Gate Drive; 12A, 100V; Related Literature - TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”; Nanosecond Switching Speeds; rDS(ON)= 0.200Ω; High Input Impedance; Linear Transfer Characteristics | Transistor Outline, Vertical | RFP12N10L |
3
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RFP12P08
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 80V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP12P08 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP12N06RLE
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP12N06RLE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP12N06RLE
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP12N06RLE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP12N10L
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP12N10L |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP12N08L
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 80V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP12N08L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP12N18
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 180V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | RFP12N18 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP12N06RLE
Rochester Electronics LLC
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1 | 12A, 60V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | RFP12N06RLE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP12N06RLE
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP12N06RLE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP12P10
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP12P10 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP12P10
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP12P10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP12P08
Rochester Electronics LLC
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1 | 12A, 80V, 0.3ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | RFP12P08 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP12P08
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 80V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP12P08 |
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RFP12N20
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 200V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | RFP12N20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP12P08
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 80V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP12P08 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP12N18
Rochester Electronics LLC
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1 | 12A, 180V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | RFP12N18 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP12N10
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | RFP12N10 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP12N08
Rochester Electronics LLC
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1 | 12A, 80V, 0.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | RFP12N08 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP12N10L
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP12N10L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP12N20
Rochester Electronics LLC
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1 | 12A, 200V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | RFP12N20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP12N08
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 80V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | RFP12N08 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP12P10
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP12P10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP12P10
Rochester Electronics LLC
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1 | 12A, 100V, 0.3ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | RFP12P10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP12N10
Rochester Electronics LLC
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1 | 12A, 100V, 0.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | RFP12N10 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP12N20
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFP12N20 |
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