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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP50N06
onsemi
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1 | rDS(ON)= 0.022Ω; Peak Current vs Pulse Width Curve; 50A, 60V; Temperature Compensating PSPICE® Model; 175°C Operating Temperature; UIS Rating Curve | Transistor Outline, Vertical | RFP50N06 |
3
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RFP50N06
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP50N06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP50N06LE
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP50N06LE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP50N06
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP50N06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP50N06
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP50N06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP50N06LE
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 80V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP50N06LE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP50N05
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 50V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP50N05 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP50N05L
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 50V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP50N05L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP50N06LE
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP50N06LE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP50N05
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 50V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP50N05 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP50N06_NL
Rochester Electronics LLC
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1 | 50A, 60V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | RFP50N06_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP50N05L
Rochester Electronics LLC
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1 | 50A, 50V, 0.027ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | RFP50N05L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP50N06
Rochester Electronics LLC
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1 | 50A, 60V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | RFP50N06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP50N05L
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 50V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP50N05L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP50N06LE
Rochester Electronics LLC
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1 | 50A, 60V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | RFP50N06LE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP50N06_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP50N06_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP50N05
Rochester Electronics LLC
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1 | 50A, 50V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | RFP50N05 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP50N05L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 50V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP50N05L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP50N05L9A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 50V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP50N05L9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP50N06-F102
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Transistor | RFP50N06-F102 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP50N05L
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFP50N05L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP50N05
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFP50N05 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP50N05L_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 50V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP50N05L_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP-50-50TCGR
Anaren Microwave
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1 | 0MHz Min, 2000MHz Max, 50ohm | RFP-50-50TCGR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP-50-50TCG
Anaren Microwave
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1 | 0MHz Min, 2000MHz Max, 50ohm | RFP-50-50TCG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||