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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SA-20
Eaton Corporation
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1 | FUSTAT ADAPTER | SA-20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SA-2020-V
Sato Parts
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0 | Blade fuse holder | Other | SA-2020-V |
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2SA2088T106Q
ROHM Semiconductor
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1 | ROHM 2SA2088T106Q PNP Bipolar Transistor, -0.5 A, -60 V, 3-Pin UMT | Other | 2SA2088T106Q |
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ACASA2002S2002P100
Vishay
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1 | Resistor Networks & Arrays 20K/20Kohm .1%/.05% 25/15ppm 0612 | Other | ACASA2002S2002P100 |
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DSA-2001S0L
Panasonic
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1 | DSA2001S0L, PNP Bipolar Transistor, -100 mA -50 V HFE:290 150 MHz, 3-Pin Mini3 G3 B | SOT23 (3-Pin) | DSA-2001S0L |
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ACASA2002S2002P1AT
Vishay
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1 | Resistor Networks & Arrays 20K/20Kohm .1%/.05% 25/15ppm 0612 Auto | Other | ACASA2002S2002P1AT |
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1 | NDK 20MHz Crystal Unit ±15ppm SMD 4-Pin 3.2 x 2.5 x 0.55mm | Other | NX3225SA-20.000M-STD-CRS-2 |
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2SA2059
Toshiba
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1 | High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Strobe Applications | Other | 2SA2059 |
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SF-1206SA200W-2
Bourns
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1 | Surface Mount Fuses 2A 110V TIME DELAY | Fuses Chip | SF-1206SA200W-2 |
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SA20A
LITTELFUSE
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1 | Littelfuse SA20A Uni-Directional TVS Diode, 500W peak, 2-Pin DO-204AC | Diodes, Axial Diameter Horizontal Mounting | SA20A |
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RFSA2033
Qorvo
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1 | Attenuators 50-6000GHz 3V-5V IN 1dB 24dBm | Quad Flat No-Lead | RFSA2033 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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71V016SA20PHG
Renesas Electronics
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1 | The 71V016 3.3V CMOS SRAM is organized as 64K x 16. All bidirectional inputs and outputs of the 71V016 are LVTTL-compatible and operation is from a single 3.3V supply. Fully static asynchronous circuitry is used, requiring no clocks or refresh for operation. | Small Outline Packages | 71V016SA20PHG |
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71V35761SA200BGG
Renesas Electronics
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1 | The 71V35761 3.3V CMOS SRAM is organized as 128K x 36. It contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as the 71V35761 can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM. | BGA | 71V35761SA200BGG |
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71256SA20YGI
Renesas Electronics
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1 | The 71256SA 5V CMOS SRAM is organized as 32K x 8. All bidirectional inputs and outputs of the 71256SA are TTL-compatible and operation is from a single 5V supply. Fully static asynchronous circuitry is used, requiring no clocks or refresh for operation. | Other | 71256SA20YGI |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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71V016SA20PHGI
Renesas Electronics
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1 | The 71V016 3.3V CMOS SRAM is organized as 64K x 16. All bidirectional inputs and outputs of the 71V016 are LVTTL-compatible and operation is from a single 3.3V supply. Fully static asynchronous circuitry is used, requiring no clocks or refresh for operation. | Small Outline Packages | 71V016SA20PHGI |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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71V35761SA200BGI
Renesas Electronics
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1 | The 71V35761 3.3V CMOS SRAM is organized as 128K x 36. It contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as the 71V35761 can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM. | BGA | 71V35761SA200BGI |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SA20A-TP
MCC
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1 | TVS | Diodes, Axial Diameter Horizontal Mounting | SA20A-TP |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ADCR-T02R7SA205MB
ABRACON
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1 | CAP 2F 2.7V TH | Capacitor, Polarized Radial Diameter | ADCR-T02R7SA205MB |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SA20CA-AP
MCC
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1 | TVS | Diodes, Axial Diameter Horizontal Mounting | SA20CA-AP |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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71V35761SA200BQG
Renesas Electronics
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1 | The 71V35761 3.3V CMOS SRAM is organized as 128K x 36. It contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as the 71V35761 can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM. | BGA | 71V35761SA200BQG |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFSA2013TR7
Qorvo
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1 | 50 - 6000 MHz, 5 V Voltage Controlled Attenuator | Quad Flat No-Lead | RFSA2013TR7 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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71421SA20PF
Renesas Electronics
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1 | The 71421 is a high-speed 2K x 8 Dual-Port Static RAM with internal interrupt logic for interprocessor communications. It is designed to be used as a "SLAVE" Dual-Port RAM together with the 71321 "MASTER" Dual-Port in 16-bit-or-more word width systems which would result in full-speed, error free operation without the need for additional discrete logic. An automatic power down feature, controlled by CE, permits the on chip circuitry of each port to enter a very low standby power mode. | Quad Flat Packages | 71421SA20PF |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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6116SA20SOG8
Renesas Electronics
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1 | The 6116 5V CMOS SRAM is organized as 2K x 8. The 6116 offers a reduced power standby mode.The low-power (LA) version also offers a battery backup data retention capability where the circuit typically consumes only 1μW to 4μW operating off a 2V battery. All inputs and outputs are TTL-compatible. Fully static asynchronous circuitry is used, requiring no clocks or refreshing for operation. Military grade product is available. | Small Outline Packages | 6116SA20SOG8 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SA2056(TE85L,F)
Toshiba
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1 | Toshiba 2SA2056(TE85L,F) PNP Bipolar Transistor, 2 A, 50 V, 3-Pin TSM | Other | 2SA2056(TE85L,F) |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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71421SA20J
Renesas Electronics
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1 | The 71421 is a high-speed 2K x 8 Dual-Port Static RAM with internal interrupt logic for interprocessor communications. It is designed to be used as a "SLAVE" Dual-Port RAM together with the 71321 "MASTER" Dual-Port in 16-bit-or-more word width systems which would result in full-speed, error free operation without the need for additional discrete logic. An automatic power down feature, controlled by CE, permits the on chip circuitry of each port to enter a very low standby power mode. | Plastic Leaded Chip Carrier | 71421SA20J |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||