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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SBRT5A50SA-13
Diodes Incorporated
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1 | Schottky Diodes & Rectifiers 5A Trench SBR 50V 5A 0.53Vf 0.15mA | Diodes Moulded | SBRT5A50SA-13 |
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2SA1360Y
Inchange Semiconductor
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1 | Complementary to 2SC3423 Cob = 2.5 pF (typ.) fT = 200 MHz (typ.) Small collector output capacitance: C ob = 2.5 pF (typ.) • High transition frequency: f T = 200 MHz (typ.) | Other | 2SA1360Y |
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2SA1313-Y(TE85L,F)
Toshiba
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1 | SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-ELEMENT, PNP, SILICON, TO-236 | Other | 2SA1313-Y(TE85L,F) |
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2SA1358
Toshiba
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1 | Transistor: PNP; bipolar; 120V; 1A; 10W; TO126 | Transistor Outline, Vertical | 2SA1358 |
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2SA1313
Toshiba
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1 | Transistor for low frequency small-signal amplification | Other | 2SA1313 |
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2SA1394
NEC
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1 | PNP Silicon Power Transistor | Transistor Outline, Vertical | 2SA1394 |
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2SA1359-Y
Toshiba
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1 | TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) | Transistor Outline, Vertical | 2SA1359-Y |
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2SA1312-BL(TE85L,F
Toshiba
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1 | Toshiba 2SA1312-BL(TE85L,F PNP Bipolar Transistor, -100 mA, -120 V, 3-Pin SC-59 | Other | 2SA1312-BL(TE85L,F |
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71V3556SA133BQG
Renesas Electronics
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1 | The 71V3556 3.3V CMOS Synchronous SRAM is organized as 128K x 36. It is designed to eliminate dead bus cycles when turning the bus around between reads and writes, or writes and reads. Thus, it has been given the name ZBTTM, or Zero Bus Turnaround. The 71V3556 contains data I/O, address and control signal registers. | BGA | 71V3556SA133BQG |
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SSA-131-S-G
SAMTEC
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1 | 31 Position, .100" Low Cost Socket Strip | Other | SSA-131-S-G |
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71V2556SA133BG8
Renesas Electronics
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1 | The 71V2556 3.3V CMOS Synchronous SRAM is organized as 128K x 36. It is designed to eliminate dead bus cycles when turning the bus around between reads and writes, or writes and reads. Thus, it has been given the name ZBTTM, or Zero Bus Turnaround. The 71V2556 contains data I/O, address and control signal registers. It can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM. | BGA | 71V2556SA133BG8 |
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SSA-131-S-T
SAMTEC
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1 | 31 Position, .100" Low Cost Socket Strip | Other | SSA-131-S-T |
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REA471M1JSA1320
Lelon
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitors | Capacitor, Polarized Radial Diameter | REA471M1JSA1320 |
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71V2556SA133BGG8
Renesas Electronics
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1 | SRAM 3.3V 128Kx36 ZBT Sync SRAM 2.5V | BGA | 71V2556SA133BGG8 |
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71V2556SA133BGG
Renesas Electronics
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1 | SRAM 3.3V 128Kx36 ZBT Sync SRAM 2.5V | BGA | 71V2556SA133BGG |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDT3A45SA-13
Diodes Incorporated
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1 | Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Rectifier | Diodes Moulded | SDT3A45SA-13 |
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MSSA135004
TE Connectivity
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1 | Switch Slide SP3T Extended Top Slide 0.3A 125VAC PC Pins Bracket Mount/Through Hole Tray | Other | MSSA135004 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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71V3556SA133BGG8
Renesas Electronics
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1 | The 71V3556 3.3V CMOS Synchronous SRAM is organized as 128K x 36. It is designed to eliminate dead bus cycles when turning the bus around between reads and writes, or writes and reads. Thus, it has been given the name ZBTTM, or Zero Bus Turnaround. The 71V3556 contains data I/O, address and control signal registers. | BGA | 71V3556SA133BGG8 |
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SA13A-TP
MCC
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1 | TVS | Diodes, Axial Diameter Horizontal Mounting | SA13A-TP |
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SA130CA-BP
MCC
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1 | TVS | Diodes, Axial Diameter Horizontal Mounting | SA130CA-BP |
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71V3556SA133BQI
Renesas Electronics
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1 | The 71V3556 3.3V CMOS Synchronous SRAM is organized as 128K x 36. It is designed to eliminate dead bus cycles when turning the bus around between reads and writes, or writes and reads. Thus, it has been given the name ZBTTM, or Zero Bus Turnaround. The 71V3556 contains data I/O, address and control signal registers. | BGA | 71V3556SA133BQI |
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71V3558SA133BQG8
Renesas Electronics
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1 | The 71V3558 3.3V CMOS Synchronous SRAM is organized as 256K x 18. It is designed to eliminate dead bus cycles when turning the bus around between reads and writes, or writes and reads. Thus, it has been given the name ZBTTM, or Zero Bus Turnaround. The 71V3558 contains data I/O, address and control signal registers. | BGA | 71V3558SA133BQG8 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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71V3556SA133BQ
Renesas Electronics
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1 | The 71V3556 3.3V CMOS Synchronous SRAM is organized as 128K x 36. It is designed to eliminate dead bus cycles when turning the bus around between reads and writes, or writes and reads. Thus, it has been given the name ZBTTM, or Zero Bus Turnaround. The 71V3556 contains data I/O, address and control signal registers. | BGA | 71V3556SA133BQ |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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71V3556SA133BGG
Renesas Electronics
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1 | The 71V3556 3.3V CMOS Synchronous SRAM is organized as 128K x 36. It is designed to eliminate dead bus cycles when turning the bus around between reads and writes, or writes and reads. Thus, it has been given the name ZBTTM, or Zero Bus Turnaround. The 71V3556 contains data I/O, address and control signal registers. | BGA | 71V3556SA133BGG |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSA-132-S-T
SAMTEC
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1 | 32 Position Receptacle, Breakaway Connector 0.100" (2.54mm) Through Hole Tin | Header, Receptacle - Straight PTH Box | SSA-132-S-T |
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