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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI1424EDH-T1-GE3
Vishay
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1 | N-Channel 20 V (D-S) MOSFET | SOT23 (6-Pin) | SI1424EDH-T1-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI1427EDH-T1-GE3
Vishay
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1 | MOSFET P-Ch 20V 2A TrenchFET SC70-6 Vishay SI1427EDH-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, -2 A, -20 V, 6-Pin SC-70-6 | SOT23 (6-Pin) | SI1427EDH-T1-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI1422DH-T1-GE3
Vishay
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1 | MOSFET 12V 4A N-CH MOSFET | SOT23 (6-Pin) | SI1422DH-T1-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI1427EDH-T1-BE3
Vishay
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1 | P-Channel 20 V 2A (Ta), 2A (Tc) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6 | SOT23 (6-Pin) | SI1427EDH-T1-BE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI1426DH
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI1426DH |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI1426DH-T1
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI1426DH-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI1428EDH-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI1428EDH-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI1426DH
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI1426DH |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI1424EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI1424EDH-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI1422DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 12V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI1422DH-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI1426DH-T1-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 30V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | SI1426DH-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI1428EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI1428EDH-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI1427EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI1427EDH-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI1426DH-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 30V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | SI1426DH-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI1425DH-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 0.035ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | SI1425DH-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SESI1422K1SR
EXXELIA Group
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1 | General Purpose Inductor, 22uH, 20%, 1 Element, SMD, 6463 | SESI1422K1SR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SESI1422K1SR
Microspire
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1 | General Purpose Inductor, 22uH, 20%, 1 Element, SMD, 6463 | SESI1422K1SR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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947BSI14.20K0.5%100
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 10W, 14200ohm, 750V, 0.5% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount | 947BSI14.20K0.5%100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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516BSI14.20K0.25%10
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 4W, 14200ohm, 200V, 0.25% +/-Tol, 10ppm/Cel, Through Hole Mount | 516BSI14.20K0.25%10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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68BSI14.20K0.25%25
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 3W, 14200ohm, 200V, 0.25% +/-Tol, 25ppm/Cel, Through Hole Mount | 68BSI14.20K0.25%25 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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63BSI14.20.5%25
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 2W, 14.2ohm, 100V, 0.5% +/-Tol, 25ppm/Cel, Through Hole Mount | 63BSI14.20.5%25 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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947BSI14.20.5%100
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 10W, 14.2ohm, 750V, 0.5% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount | 947BSI14.20.5%100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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63BSI1.42K0.25%25
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 2W, 1420ohm, 100V, 0.25% +/-Tol, 25ppm/Cel, Through Hole Mount | 63BSI1.42K0.25%25 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SESI1422K1SR
Dearborn Electronics Inc
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1 | GENERAL PURPOSE INDUCTOR | SESI1422K1SR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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58BSI1420.25%10
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 1W, 142ohm, 50V, 0.25% +/-Tol, 10ppm/Cel, Through Hole Mount | 58BSI1420.25%10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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