Showing 25 of 26 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4866DY-T1-E3
Vishay
|
1 | Trans MOSFET N-CH 12V 11A 8-Pin SOIC N T/R | Small Outline Packages | SI4866DY-T1-E3 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI4862DY-T1-E3
Vishay
|
1 | MOSFET 16 Volt 25 Amp 3.5W | Small Outline Packages | SI4862DY-T1-E3 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI4864DY-T1-GE3
Vishay
|
1 | MOSFET 20V 25A 3.5W 3.5mohm @ 4.5V | Small Outline Packages | SI4864DY-T1-GE3 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI4866BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 21.5A I(D), 12V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, MS-012AA | SI4866BDY-T1-GE3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI4864DY-T1
Vishay Siliconix
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 17A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4864DY-T1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI4866DY-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 12V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, MS-012AA | SI4866DY-T1-GE3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI4862DY-T1-E3
Vishay Siliconix
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 17A I(D), 16V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4862DY-T1-E3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI4866DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 12V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4866DY-T1-GE3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI4860DY-T1-E3
Vishay Siliconix
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | SI4860DY-T1-E3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI4862DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 17A I(D), 16V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4862DY-T1-GE3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI4866DY-T1
Vishay Intertechnologies
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4866DY-T1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI4866DY-E3
Vishay Siliconix
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 12V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4866DY-E3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI4864DY-T1-E3
Vishay Siliconix
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 20V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, MS-012AA | SI4864DY-T1-E3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI4860DY-E3
Vishay Siliconix
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4860DY-E3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI4860DY-E3
Vishay Intertechnologies
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4860DY-E3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI4860DY
Vishay Siliconix
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4860DY |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI4860DY-T1-E3
Vishay Intertechnologies
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | SI4860DY-T1-E3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI4866DY-E3
Vishay Intertechnologies
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4866DY-E3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI4866BDY-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 21.5A I(D), 12V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, MS-012AA | SI4866BDY-T1-GE3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI4864DY-T1
Vishay Intertechnologies
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4864DY-T1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI4864DY-T1-E3
Vishay Intertechnologies
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 20V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, MS-012AA | SI4864DY-T1-E3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI4866DY-T1-E3
Vishay Siliconix
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 12V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4866DY-T1-E3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI4862DY-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 17A I(D), 16V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4862DY-T1-GE3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI4866DY-T1
Vishay Siliconix
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 12V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4866DY-T1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI4864DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 20V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, MS-012AA | SI4864DY-T1-GE3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||