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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI5902BDC-T1-GE3
Vishay
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1 | Vishay SI5902BDC-T1-GE3 Dual N-channel MOSFET Transistor, 3.7 A, 30 V, 8-Pin 1206 ChipFET | SO Transistor Flat Lead | SI5902BDC-T1-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI5904DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 20V, 0.075ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI5904DC-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI5903DC-T1-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI5903DC-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI5903DC-T1
Vishay Intertechnologies
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI5903DC-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI5903DC-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI5903DC-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI5902BDC-T1-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI5902BDC-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI5902DC-T1
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI5902DC-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI5903DC-T1
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI5903DC-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI5904DC-T1
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI5904DC-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI5902BDC-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI5902BDC-T1-E3 |
0
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SI5908DC-T1-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 20V, 0.04ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | SI5908DC-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI5902DC-T1
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 30V, 0.085ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI5902DC-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI5902DC
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 30V, 0.085ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI5902DC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI5904DC-T1-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 20V, 0.075ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI5904DC-T1-E3 |
0
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SI5904DC-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 20V, 0.075ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI5904DC-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI5904DC-T1
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI5904DC-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI5902DC-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 30V, 0.085ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI5902DC-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI5908BDC-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor | SI5908BDC-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI5902DC-T1-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 30V, 0.085ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI5902DC-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI5908DC-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 20V, 0.04ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | SI5908DC-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI5908DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 20V, 0.04ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | SI5908DC-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI5908DC-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 20V, 0.04ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | SI5908DC-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI5902BDC-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI5902BDC-T1-GE3 |
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68BSI5.90.5%25
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 3W, 5.9ohm, 200V, 0.5% +/-Tol, -25,25ppm/Cel, | 68BSI5.90.5%25 |
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68BSI590.25%100
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 3W, 59ohm, 200V, 0.25% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount | 68BSI590.25%100 |
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