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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIA414DJ-T1-GE3
Vishay
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1 | MOSFET 8.0V 12A 19W 11mohm @ 4.5V | Other | SIA414DJ-T1-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIA416DJ-T1-GE3
Vishay
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1 | MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 | Other | SIA416DJ-T1-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIA418DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor | SIA418DJ-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIA418DJ-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor | SIA418DJ-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIA419DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 20V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIA419DJ-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIA413ADJ-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 12V, 0.029ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIA413ADJ-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIA413DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 12V, 0.029ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIA413DJ-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIA419DJ-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 20V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIA419DJ-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIA414DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 8V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIA414DJ-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIA413DJ-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 12V, 0.029ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIA413DJ-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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