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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIA519EDJ-T1-GE3
Vishay
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1 | MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 | Other | SIA519EDJ-T1-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIA517DJ-T1-GE3
Vishay
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1 | Vishay SIA517DJ-T1-GE3 Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 6-Pin SC-70 | Other | SIA517DJ-T1-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIA519EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 0.04ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | SIA519EDJ-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIA513DJ-T1-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 0.06ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | SIA513DJ-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIA511DJ-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 12V, 0.04ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | SIA511DJ-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIA511DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 12V, 0.04ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | SIA511DJ-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIA513DJ-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 0.06ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | SIA513DJ-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIA517DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 12V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | SIA517DJ-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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