Showing 15 of 15 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIE810DF-T1-E3
Vishay
|
1 | MOSFET 20V 60A 125W 1.4mohm @ 10V | Other | SIE810DF-T1-E3 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SIE812DF-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIE812DF-T1-GE3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SIE816DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 19.8A I(D), 60V, 0.0074ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIE816DF-T1-GE3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SIE812DF-T1-E3
Vishay Intertechnologies
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIE812DF-T1-E3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SIE812DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIE812DF-T1-GE3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SIE818DF-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 75V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIE818DF-T1-GE3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SIE810DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 20V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIE810DF-T1-GE3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SIE816DF-T1-E3
Vishay Intertechnologies
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 19.8A I(D), 60V, 0.0074ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIE816DF-T1-E3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SIE818DF-T1-E3
Vishay Intertechnologies
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 75V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIE818DF-T1-E3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SIE818DF-T1-E3
Vishay Siliconix
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 75V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIE818DF-T1-E3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SIE812DF-T1-E3
Vishay Siliconix
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIE812DF-T1-E3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SIE810DF-T1-E3
Vishay Siliconix
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 20V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIE810DF-T1-E3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SIE816DF-T1-E3
Vishay Siliconix
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 19.8A I(D), 60V, 0.0074ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIE816DF-T1-E3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SIE810DF-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 20V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIE810DF-T1-GE3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SIE818DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 75V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIE818DF-T1-GE3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||