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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHD180N60E-GE3
Vishay
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1 | MOSFET 650V Vds; 30V Vgs DPAK (TO-252) | Other | SIHD180N60E-GE3 |
3
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SIHD1K4N60E-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 600V, 1.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | SIHD1K4N60E-GE3 |
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SIHD186N60EFT1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 600V, 0.201ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SIHD186N60EFT1-GE3 |
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SIHD14N60ET1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.309ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | SIHD14N60ET1-GE3 |
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SIHD186N60EF-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 600V, 0.201ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SIHD186N60EF-GE3 |
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SIHD14N60ET4-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.309ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | SIHD14N60ET4-GE3 |
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SIHD186N60EFT4-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 600V, 0.201ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SIHD186N60EFT4-GE3 |
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SIHD11N80AE-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | SIHD11N80AE-GE3 |
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SIHD14N60E-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.309ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SIHD14N60E-GE3 |
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SIHD11N80AE-T4-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | SIHD11N80AE-T4-GE3 |
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SIHD14N60ET5-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.309ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | SIHD14N60ET5-GE3 |
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SIHD12N50E-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SIHD12N50E-GE3 |
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SIHD180N60ET4-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 600V, 0.195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | SIHD180N60ET4-GE3 |
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SIHD11N80AE-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | SIHD11N80AE-T1-GE3 |
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