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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPB80P06PGATMA1
Infineon
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1 | Infineon SPB80P06PGATMA1 P-channel MOSFET, 80 A, 60 V SIPMOS, 3-Pin D2PAK | Other | SPB80P06PGATMA1 |
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SPB80N06S2L-05
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SPB80N06S2L-05 |
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SPB80N03L
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SPB80N03L |
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SPB80N03S2L-04
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SPB80N03S2L-04 |
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SPB80N04S2-H4
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SPB80N04S2-H4 |
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SPB80N04S2L-04
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SPB80N04S2L-04 |
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SPB80N03
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SPB80N03 |
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SPB80N03S2L-03
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SPB80N03S2L-03 |
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SPB80N04S2H4DTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SPB80N04S2H4DTMA1 |
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SPB80N03S2L-06
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SPB80N03S2L-06 |
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SPB80N03S2-03G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SPB80N03S2-03G |
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SPB80N03S2L-03E3045A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SPB80N03S2L-03E3045A |
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SPB80N03S2-03
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SPB80N03S2-03 |
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SPB80N03L
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SPB80N03L |
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SPB80N06S2-07
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SPB80N06S2-07 |
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SPB80N06S2-05
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SPB80N06S2-05 |
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SPB80N03S2L-05
Rochester Electronics LLC
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1 | 80A, 30V, 0.0072ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | SPB80N03S2L-05 |
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SPB80N03
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SPB80N03 |
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SPB80N03S203GATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | SPB80N03S203GATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPB80N03S2L-05
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SPB80N03S2L-05 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPB80N04S204DTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SPB80N04S204DTMA1 |
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SPB80N06S2-08
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SPB80N06S2-08 |
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SPB80P06P
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.023ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SPB80P06P |
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SPB80N06S2-H5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SPB80N06S2-H5 |
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SPB8090
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 4 Element, 80A, 90V V(RRM), Silicon | SPB8090 |
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