Showing 25 of 1063 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPD04P10PLG
Infineon
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1 | P-channel MOSFET Transistor, 4.2 A, -100 V, 3-Pin TO-252 | Other | SPD04P10PLG |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPD04N60C3
Infineon
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1 | N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 , 950mOhm @ 2.8A, 10V , 3.9V @ 200µA , -55°C ~ 150°C (TJ) | Other | SPD04N60C3 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPD04N50C3
Infineon
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1 | Infineon SPD04N50C3 N-channel MOSFET Transistor, 4.5 A, 560 V, 3-Pin TO-252 | Other | SPD04N50C3 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPD04P10PL G
Infineon
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1 | MOSFET P-Ch -100V 4.2A DPAK-2 | Other | SPD04P10PL G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2MM-HSP-D04-VT-02-H-TB
TE Connectivity
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0 | PCB Mount Header, Vertical, Board-to-Board / Wire-to-Board, 8 Position, 2 mm [.079 in] Centerline, Fully Shrouded, Gold (Au), AMPMODU 2 mm | Other | 2MM-HSP-D04-VT-02-H-TB |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2MM-HSP-D04-VT-02-H-TBP
TE Connectivity
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0 | Connector Header Through Hole 8 position 0.079" (2.00mm)-40°C ~ 105°C,2A,125VAC/DC | Other | 2MM-HSP-D04-VT-02-H-TBP |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2MM-HSP-D04-HT-02-H-TB
TE Connectivity
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0 | PCB Mount Header, Right Angle, Board-to-Board / Wire-to-Board, 8 Position, 2 mm [.079 in] Centerline, Fully Shrouded, Gold (Au), AMPMODU 2 mm | Other | 2MM-HSP-D04-HT-02-H-TB |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPD04N60C2
Rochester Electronics LLC
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1 | 4.5A, 600V, 0.95ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC, DPAK-3 | SPD04N60C2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPD04N60C2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SPD04N60C2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPD04P10PG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 1000ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | SPD04P10PG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPD04N80C3AT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SPD04N80C3AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPD04N60S5
Rochester Electronics LLC
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1 | 4.5A, 600V, 0.95ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, GREEN, PLASTIC, TO-252, DPAK-3 | SPD04N60S5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPD04P10PLGBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 100V, 0.85ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | SPD04P10PLGBTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPD04N50C3BT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SPD04N50C3BT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPD04N60S5BTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | SPD04N60S5BTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPD04N60C3AT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SPD04N60C3AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPD04N50C3AT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SPD04N50C3AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPD04N80C3BTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | SPD04N80C3BTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPD04N80C3BT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SPD04N80C3BT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPD04N50C3ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SPD04N50C3ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPD04N50C3BTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SPD04N50C3BTMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPD04N80C3
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | SPD04N80C3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPD04P10PGBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 1000ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | SPD04P10PGBTMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPD04N60S5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | SPD04N60S5 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPD04N60C3ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | SPD04N60C3ATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||