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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQM200N04-1M7L_GE3
Vishay
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1 | MOSFET 40V 200A 375 AEC-Q101 Qualified | Other | SQM200N04-1M7L_GE3 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQM200N04-1M1L_GE3
Vishay
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1 | MOSFET 40V 200A, 375W AEC-Q101 Qualified, TO-263-7 | Other | SQM200N04-1M1L_GE3 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQM200JB-10R
Yageo Group
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1 | 10 Ohms ±5% 2W Through Hole Resistor Radial Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety Ceramic | Other | SQM200JB-10R |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQM200JB-7R5
Yageo Group
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1 | 7.5 Ohms ±5% 2W Through Hole Resistor Radial Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety Ceramic | Other | SQM200JB-7R5 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQM2050
Rakon Limited
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1 | SILICON, PIN DIODE, CERAMIC, SMD4, 2 PIN | SQM2050 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQM2030T3
Cobham PLC
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1 | Rectifier Diode | SQM2030T3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQM200N04-1M3L-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 40V, 0.0011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SQM200N04-1M3L-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQM2030NT1
MACOM
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1 | Rectifier Diode | SQM2030NT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQM200N04-1M7L
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 40V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | SQM200N04-1M7L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQM2030NT3
MACOM
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1 | Rectifier Diode | SQM2030NT3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQM2030T1
Cobham PLC
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1 | Rectifier Diode | SQM2030T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQM200JB-47R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 2W, 47ohm, 250V, 5% +/-Tol, 4328 | SQM200JB-47R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQM2030N
Cobham PLC
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1 | Rectifier Diode | SQM2030N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQM200JB-27R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 2W, 27ohm, 250V, 5% +/-Tol, 4328 | SQM200JB-27R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQM200N04-1M8_GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 40V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SQM200N04-1M8_GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQM2030NT3
Cobham PLC
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1 | Rectifier Diode | SQM2030NT3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQM2030NT1
Cobham PLC
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1 | Rectifier Diode | SQM2030NT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQM2030
MACOM
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1 | Rectifier Diode | SQM2030 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQM2030N
MACOM
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1 | Rectifier Diode | SQM2030N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQM2050
Temex Ceramics
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1 | Pin Diode, Silicon | SQM2050 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQM2030T1
MACOM
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1 | Rectifier Diode | SQM2030T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQM2030
Cobham PLC
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1 | Rectifier Diode | SQM2030 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQM200N04-1M8
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 40V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-263 | SQM200N04-1M8 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQM200N04-1M1L-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 40V, 0.0011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SQM200N04-1M1L-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQM2030T3
MACOM
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1 | Rectifier Diode | SQM2030T3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||