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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQS181ELNW-T1_GE3
Vishay
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1 | MOSFET Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 31 mohm a. 10V, 48 mohm a. 4.5V | Other | SQS181ELNW-T1_GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQS180ENW-T1_GE3
Vishay
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1 | MOSFET Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 8.67 mohm a. 10V | Other | SQS180ENW-T1_GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQS182ELNW-T1_GE3
Vishay
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1 | MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 13.2 mohm a. 10V, 15.6 mohm a. 4.5V | Other | SQS182ELNW-T1_GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQS186ENW-T1_GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 80V, 0.0115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | SQS186ENW-T1_GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQS180ELNW-T1_BE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 80V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SQS180ELNW-T1_BE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQS182ELNW
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 80V, 0.0156ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SQS182ELNW |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQS180ELNW
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 80V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SQS180ELNW |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQS180ENW-T1_BE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 80V, 0.00867ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SQS180ENW-T1_BE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQS180ELNW-T1_GE3
Vishay
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1 | MOSFET | SQS180ELNW-T1_GE3 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQS180ENW
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 80V, 0.00867ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | SQS180ENW |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQS186ENW-T1_BE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 80V, 0.0115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | SQS186ENW-T1_BE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQS183ENW
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor | SQS183ENW |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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